Simple device for the growth of micrometer-sized monocrystalline single-layer graphene on SiC(0001)

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F18%3APU127834" target="_blank" >RIV/00216305:26620/18:PU127834 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/18:00490052 RIV/00216208:11320/18:10391131

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1116/1.5008977" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1116/1.5008977</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1116/1.5008977" target="_blank" >10.1116/1.5008977</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Simple device for the growth of micrometer-sized monocrystalline single-layer graphene on SiC(0001)

Popis výsledku v původním jazyce

The thermal decomposition of SiC wafers has proven to be a reliable method to obtain epitaxial graphene. However, the sublimation of Si induced by annealing of SiC substrates is notoriously difficult to control. To tackle the problem, the authors developed a fairly simple apparatus for the growth of micrometer-scale homogeneous single- and bilayer graphene in Ar atmosphere. The device is a furnace based on a considerably improved version of a directly heated element, and can achieve the desired sample quality reproducibly and efficiently. The authors characterize the samples prepared using this device by atomic force microscopy, low energy electron diffraction, Raman spectroscopy, scanning tunneling microscopy, x-ray photoemission spectroscopy, and nearedge x-ray absorption spectroscopy.

Název v anglickém jazyce

Simple device for the growth of micrometer-sized monocrystalline single-layer graphene on SiC(0001)

Popis výsledku anglicky

The thermal decomposition of SiC wafers has proven to be a reliable method to obtain epitaxial graphene. However, the sublimation of Si induced by annealing of SiC substrates is notoriously difficult to control. To tackle the problem, the authors developed a fairly simple apparatus for the growth of micrometer-scale homogeneous single- and bilayer graphene in Ar atmosphere. The device is a furnace based on a considerably improved version of a directly heated element, and can achieve the desired sample quality reproducibly and efficiently. The authors characterize the samples prepared using this device by atomic force microscopy, low energy electron diffraction, Raman spectroscopy, scanning tunneling microscopy, x-ray photoemission spectroscopy, and nearedge x-ray absorption spectroscopy.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A

ISSN

0734-2101

e-ISSN

1520-8559

Svazek periodika

36

Číslo periodika v rámci svazku

3

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

„031401-1“-„031401-6“

Kód UT WoS článku

000432372400024

EID výsledku v databázi Scopus

—