Suppression of axial growth by boron incorporation in GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F19%3APU130384" target="_blank" >RIV/00216305:26620/19:PU130384 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/aaf11e/meta" target="_blank" >https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/aaf11e/meta</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/aaf11e" target="_blank" >10.1088/1361-6528/aaf11e</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Suppression of axial growth by boron incorporation in GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy

Popis výsledku v původním jazyce

The addition of boron to GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy was found to have a strong effect on the nanowire morphology, with axial growth greatly reduced as the nominal boron concentration was increased. Transmission electron microscopy measurements show that the Ga catalyst droplet was unintentionally consumed during growth. Concurrent radial growth, a rough surface morphology and tapering of nanowires grown under boron flux suggest that this droplet consumption is due to reduced Ga adatom diffusion on the nanowire sidewalls in the presence of boron. Modelling of the nanowire growth puts the diffusion length of Ga adatoms under boron flux at around 700–1000 nm. Analyses of the nanowire surfaces show regions of high boron concentration, indicating the surfactant nature of boron in GaAs.

Název v anglickém jazyce

Suppression of axial growth by boron incorporation in GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy

Popis výsledku anglicky

The addition of boron to GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy was found to have a strong effect on the nanowire morphology, with axial growth greatly reduced as the nominal boron concentration was increased. Transmission electron microscopy measurements show that the Ga catalyst droplet was unintentionally consumed during growth. Concurrent radial growth, a rough surface morphology and tapering of nanowires grown under boron flux suggest that this droplet consumption is due to reduced Ga adatom diffusion on the nanowire sidewalls in the presence of boron. Modelling of the nanowire growth puts the diffusion length of Ga adatoms under boron flux at around 700–1000 nm. Analyses of the nanowire surfaces show regions of high boron concentration, indicating the surfactant nature of boron in GaAs.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

21001 - Nano-materials (production and properties)

Projekt

<a href="/cs/project/EF16_027%2F0008371" target="_blank" >EF16_027/0008371: Mezinárodní mobilita výzkumníků Vysokého učení technického v Brně</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

NANOTECHNOLOGY

ISSN

0957-4484

e-ISSN

1361-6528

Svazek periodika

30

Číslo periodika v rámci svazku

6

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

„065602-1“-„065602-10“

Kód UT WoS článku

000452724500002

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85058367784