Influence of Boron Antisite Defects on the Electrical Properties of MBE-Grown GaAs Nanowires
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F19%3APU133599" target="_blank" >RIV/00216305:26620/19:PU133599 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssb.201800368" target="_blank" >https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssb.201800368</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201800368" target="_blank" >10.1002/pssb.201800368</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Influence of Boron Antisite Defects on the Electrical Properties of MBE-Grown GaAs Nanowires
Popis výsledku v původním jazyce
Nanowires provide a platform for the integration of heterogeneous materials in III–V systems grown on Si. B x Ga 1−x As is an interesting material for strain applications, which has not yet been studied in nanowire form. The incorporation of boron in GaAs nanowires is investigated via DC-IV measurements. In transmission electron microscopy analysis a high concentration of boron is found at the nanowire edges, indicating surface segregation during growth. Nanowires grown under boron flux are found to exhibit Ohmic contacts and low contact resistances with p-type metallizations such as Au/Zn/Au or Cr/Au. Back-gated measurements confirmed the p-type behavior of such nanowires, indicating that boron is incorporated on antisite defects where it acts as a doubly-charged acceptor. This offers a new route for the inclusion of p-doped layers in GaAs-based nanowire heterostructures and the subsequent formation of Ohmic contacts.
Název v anglickém jazyce
Influence of Boron Antisite Defects on the Electrical Properties of MBE-Grown GaAs Nanowires
Popis výsledku anglicky
Nanowires provide a platform for the integration of heterogeneous materials in III–V systems grown on Si. B x Ga 1−x As is an interesting material for strain applications, which has not yet been studied in nanowire form. The incorporation of boron in GaAs nanowires is investigated via DC-IV measurements. In transmission electron microscopy analysis a high concentration of boron is found at the nanowire edges, indicating surface segregation during growth. Nanowires grown under boron flux are found to exhibit Ohmic contacts and low contact resistances with p-type metallizations such as Au/Zn/Au or Cr/Au. Back-gated measurements confirmed the p-type behavior of such nanowires, indicating that boron is incorporated on antisite defects where it acts as a doubly-charged acceptor. This offers a new route for the inclusion of p-doped layers in GaAs-based nanowire heterostructures and the subsequent formation of Ohmic contacts.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
21001 - Nano-materials (production and properties)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/EF16_027%2F0008371" target="_blank" >EF16_027/0008371: Mezinárodní mobilita výzkumníků Vysokého učení technického v Brně</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS
ISSN
0370-1972
e-ISSN
1521-3951
Svazek periodika
256
Číslo periodika v rámci svazku
5
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
1800368-1800368
Kód UT WoS článku
000476946300017
EID výsledku v databázi Scopus
—