Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Influence of Boron Antisite Defects on the Electrical Properties of MBE-Grown GaAs Nanowires

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F19%3APU133599" target="_blank" >RIV/00216305:26620/19:PU133599 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssb.201800368" target="_blank" >https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/pssb.201800368</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201800368" target="_blank" >10.1002/pssb.201800368</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Influence of Boron Antisite Defects on the Electrical Properties of MBE-Grown GaAs Nanowires

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Nanowires provide a platform for the integration of heterogeneous materials in III–V systems grown on Si. B x Ga 1−x As is an interesting material for strain applications, which has not yet been studied in nanowire form. The incorporation of boron in GaAs nanowires is investigated via DC-IV measurements. In transmission electron microscopy analysis a high concentration of boron is found at the nanowire edges, indicating surface segregation during growth. Nanowires grown under boron flux are found to exhibit Ohmic contacts and low contact resistances with p-type metallizations such as Au/Zn/Au or Cr/Au. Back-gated measurements confirmed the p-type behavior of such nanowires, indicating that boron is incorporated on antisite defects where it acts as a doubly-charged acceptor. This offers a new route for the inclusion of p-doped layers in GaAs-based nanowire heterostructures and the subsequent formation of Ohmic contacts.

  • Název v anglickém jazyce

    Influence of Boron Antisite Defects on the Electrical Properties of MBE-Grown GaAs Nanowires

  • Popis výsledku anglicky

    Nanowires provide a platform for the integration of heterogeneous materials in III–V systems grown on Si. B x Ga 1−x As is an interesting material for strain applications, which has not yet been studied in nanowire form. The incorporation of boron in GaAs nanowires is investigated via DC-IV measurements. In transmission electron microscopy analysis a high concentration of boron is found at the nanowire edges, indicating surface segregation during growth. Nanowires grown under boron flux are found to exhibit Ohmic contacts and low contact resistances with p-type metallizations such as Au/Zn/Au or Cr/Au. Back-gated measurements confirmed the p-type behavior of such nanowires, indicating that boron is incorporated on antisite defects where it acts as a doubly-charged acceptor. This offers a new route for the inclusion of p-doped layers in GaAs-based nanowire heterostructures and the subsequent formation of Ohmic contacts.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    21001 - Nano-materials (production and properties)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/EF16_027%2F0008371" target="_blank" >EF16_027/0008371: Mezinárodní mobilita výzkumníků Vysokého učení technického v Brně</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2019

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS

  • ISSN

    0370-1972

  • e-ISSN

    1521-3951

  • Svazek periodika

    256

  • Číslo periodika v rámci svazku

    5

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    1800368-1800368

  • Kód UT WoS článku

    000476946300017

  • EID výsledku v databázi Scopus