Transparent and conductive titanium nitride thin films for implantable bioelectronics deposited at low temperature using two Kaufman ion-beam sources

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F22%3APU150824" target="_blank" >RIV/00216305:26620/22:PU150824 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://www.eeict.cz/eeict_download/archiv/sborniky/EEICT_2022_sbornik_1_v2.pdf" target="_blank" >https://www.eeict.cz/eeict_download/archiv/sborniky/EEICT_2022_sbornik_1_v2.pdf</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Transparent and conductive titanium nitride thin films for implantable bioelectronics deposited at low temperature using two Kaufman ion-beam sources

Popis výsledku v původním jazyce

This work proposes ultra-thin films of titanium nitride as a material for the realization of transparent and conductive layers suitable for implantable bioelectronics. Results further show that good results of crystallography, transmittance, and sheet resistance can be achieved for thin films with thicknesses of 15 nm and 20 nm deposited at the beam energy of the primary ion source of 400 eV and temperature below 100 °C.

Název v anglickém jazyce

Transparent and conductive titanium nitride thin films for implantable bioelectronics deposited at low temperature using two Kaufman ion-beam sources

Popis výsledku anglicky

This work proposes ultra-thin films of titanium nitride as a material for the realization of transparent and conductive layers suitable for implantable bioelectronics. Results further show that good results of crystallography, transmittance, and sheet resistance can be achieved for thin films with thicknesses of 15 nm and 20 nm deposited at the beam energy of the primary ion source of 400 eV and temperature below 100 °C.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20200 - Electrical engineering, Electronic engineering, Information engineering

Projekt

<a href="/cs/project/LM2018110" target="_blank" >LM2018110: Výzkumná infrastruktura CzechNanoLab</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2022

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings II of the Conference Student EEICT General papers

ISBN

978-8-0214-6029-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

84-87

Název nakladatele

Brno University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Communication

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

26. 4. 2022

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—