Příprava výkonových laserových monokrystalických slabů na bázi ytterbiem dopovaných aluminátů granátu s potlačením ASE

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F25296558%3A_____%2F16%3AN0000010" target="_blank" >RIV/25296558:_____/16:N0000010 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/16:00476937

Výsledek na webu

<a href="https://isdv.upv.cz/webapp/webapp.pts.lst" target="_blank" >https://isdv.upv.cz/webapp/webapp.pts.lst</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Příprava výkonových laserových monokrystalických slabů na bázi ytterbiem dopovaných aluminátů granátu s potlačením ASE

Popis výsledku v původním jazyce

Příprava výkonových laserových monokrystalických slabů o průměru aktivního prostředí alespoň 70 mm na bázi monokrystalů ytterbiem dopovaných aluminátů granátu pěstovaných na orientovaném zárodku tažením z taveniny v redukční atmosféře pod víčkem, vyznačující se tím, že redukční atmosféra nad taveninou v tavném kelímku obsahuje v průběhu tavení minimálně 30 % obj. vodíku, následně je evakuována, a tavenina je homogenizována a zbavena rozpuštěných plynů mícháním drátem, přičemž po tomto procesu je vakuum opět nahrazeno redukční atmosférou pro zahájení pěstování krystalu na zárodku, načež je po dosažení požadované velikosti monokrystalu tento dále opracován běžnými mechanickými prostředky do polotovaru pro výrobu laserových slabů, přičemž tento polotovar je následně temperován při vysoké teplotě dosahující nejméně hodnoty 200 °C pod teplotou tání v ochranné atmosféře kyslíku nebo dusíku nebo vzduchu pro odstranění dislokací a konverzi aktivních laserových iontů a následně je opatřen absorpční vrstvou obsahující fyzikálně a/nebo chemicky vytvořená absorpční centra pro potlačení jevu zesílené spontánní emise (ASE), která jsou generována přímo v monokrystalickém materiálu a/nebo jsou tvořena dopantem v přidaném monokrystalickém materiálu spojeném s polotovarem laserového slabu vysokoteplotním pájením rekrystalizace povrchových vrstev, přičemž optické rozhraní této absorpční vrstvy s laserující částí monokrystalu je nerozeznatelné z hlediska indexu lomu a materiálové teplotní roztažnosti, načež se z polotovaru pro výrobu laserových slabů vyrobí opracovaný laserový slab s parametry povrchu odpovídajícími nárokům kladeným na laserový element.

Název v anglickém jazyce

Preparation process of power laser single crystal slabs based on ytterbium-doped garnet aluminates with ASE suppression

Popis výsledku anglicky

In the present invention, there is disclosed a preparation process of power laser single crystal slabs with the diameter of the active medium of at least 70 mm, based on single crystals of ytterbium-doped garnet aluminates grown onto an oriented nucleus by drawing from a melt in a reducing atmosphere underneath a lid,wherein the preparation process is characterized in that the reducing atmosphere above the melt in a crucible containing during melting at least 30% by volume hydrogen is subsequently evacuated and the melt is homogenized and deprived of dissolved gases by wire agitation,whereby thereafter vacuum is again replaced by the reducing atmosphere in order to start growing the garnet on the nucleus,whereupon after the single crystal required site is achieved,the single crystal is further processed by usual mechanical means to a half-finished product for the manufacture of laser slabs,whereby the said half-finished product is subsequently kept at high temperature of at least 200°C below the melting temperature in a protecting atmosphere of oxygen or nitrogen or air to remove dislocations and conversions of active laser ions.Subsequently it is provided with an absorption layer containing physically and/or chemically created absorption centers for suppressing the phenomenon of ASE,which centers are generated directly in the single crystal material and/or they are formed by a dopant in the added single crystal material through coupling with the half-finished product of the laser slab by high-temperature soldering of the surface layer recrystallization,whereby optical interface of this absorption layer along with the lasering portion of the single crystal is indistinguishable from the refraction index of that absorption layer and material thermal expansion dilatation point of view.Worked laser slab with surface parameters corresponding to demands made on a laser element id produced from the above-indicated half-finished product for the manufacture of laser slabs.

Druh

P - Patent

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Číslo patentu nebo vzoru

305900

Vydavatel

CZ001 -

Název vydavatele

Industrial Property Office

Místo vydání

Prague

Stát vydání

CZ - Česká republika

Datum přijetí

16. 3. 2016

Název vlastníka

CRYTUR, spol. s r.o. a Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i., Praha 8, CZ

Způsob využití

B - Výsledek je využíván orgány státní nebo veřejné správy

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence