Způsob přípravy monokrystalů laserové kvality

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F25296558%3A_____%2F15%3AN0000001" target="_blank" >RIV/25296558:_____/15:N0000001 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://isdv.upv.cz/webapp/webapp.pts.det?xprim=10010973&lan=cs&s_majs=&s_puvo=&s_naze=&s_anot=" target="_blank" >https://isdv.upv.cz/webapp/webapp.pts.det?xprim=10010973&lan=cs&s_majs=&s_puvo=&s_naze=&s_anot=</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Způsob přípravy monokrystalů laserové kvality

Popis výsledku v původním jazyce

Způsob přípravy monokrystalů laserové kvality, velkých průměrů až 500 mm, na bázi aluminátů granátu s yttriem a/nebo luteciem s dotací oxidů vzácných zemin a některých přechodných prvků obecného složení Y3Al5O12, Lu3Al5O12, Y(3–x)(RE)xAl5O12, resp. Lu(3–x)(RE)xAl5O12, kde (RE) jsou prvky vzácných zemin Nd, Sm, Eu, Ho, Er, Tm, Yb a x je 0 až 3 v kelímku, uloženém v peci, spočívá v tom, že monokrystalický zárodek o průřezu minimálně 100 mm2 je orientován tak, že jeho geometrická osa je kolmá na přirozenou krystalografickou plochu ideálního krystalu s největší plochou a s maximální možnou symetrií krystalu z dostupných ploch, monokrystalický zárodek rotuje rychlostí 0,1 až 20 otáček za minutu a je tažen rychlostí 0,08 až 5 mm/hod. při udržování spodní plochy krystalu, respektive konvexního nebo konkávního tvaru plochého rozhraní s vrcholovým úhlem v intervalu od 175° do 185° úpravou rychlosti tažení krystalu, rychlosti rotace a regulací teploty na rozhraní krystal/tavenina na základě optického, váhového nebo vizuálního sledování, a po dosažení rozšíření průměru kužele krystalu minimálně do 80 % průměru kelímku se následně zvýší otáčky minimálně o 50 %, za současného udržování spodní plochy krystalu s vrcholovým úhlem v intervalu od 175° do 185° úpravou rychlosti tažení krystalu, rychlosti rotace a regulací teploty na rozhraní krystal/tavenina na základě optického, váhového nebo vizuálního sledování, po dosažení požadované hmotnosti se při současném zachování počtu otáček zvýší elektrický příkon až o 10 % a zároveň se krystal vytáhne rychlostí 5 až 10 mm za minutu nad zbytek taveniny, následně je krystal v této pozici programově temperován minimálně po dobu dvou hodin na teplotě minimálně 100 °C pod bodem tání krystalu, poté je dále chlazen na pokojovou teplotu s průměrným spádem teplotního sestupu 100 °C/hod. v růstové zóně v kelímku pod víčkem.

Název v anglickém jazyce

Process for preparing single crystals of laser grade

Popis výsledku anglicky

In the present invention,there is disclosed a process for preparing single crystals of laser grade,of large diameters up to 500 mm,based on aluminates of garnet with yttrium and/or lutetium with doping of rare earth metal oxides and some transient metals of the general composition. The invention is characterized in that a single crystal seed with a cross section of at least 100 mm2 is oriented such that the geometrical axis thereof is perpendicular to a crystallographic surface of an ideal crystal with the largest surface and with maximally possible crystal symmetry from the surfaces being available.The single crystal seed rotates and is drawn at maintaining of the crystal bottom surface,optionally convex or concave shape of a flat interface with the vertex angle within the range of 175 degrees to 185 degrees by adjusting the crystal drawing rate,rotation rate and temperature control at the crystal/melt interface based on optical,weight or visual monitoring.After the crystal cone diameter expansion of up to at least 80 percent of the crucible diameter is achieved,the rotation rate is increased at least by 50 percent under simultaneous maintenance of the crystal bottom surface with the vertex angle within the range of 175 degrees to 185 degrees by adjusting the crystal drawing rate,rotation speed and temperature control at the crystal/melt interface based on optical, weight or visual monitoring.After the crystal required weight is achieved,the electric input up to by 10 percent is increased at simultaneous maintenance of the crystal rotation rate and at the same time,the crystal is drawn at a rate of 5 to 10 mm per minute above the rest of melt.Subsequently the crystal is in that position programmable tempered for s period of at least two hours at a temperature of at least 100°C below the crystal melting point,then it is further cooled down to a room temperature with an average temperature gradient 100°C/hour within the growth zone in the crucible underneath the lid

Druh

P - Patent

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/TA03011141" target="_blank" >TA03011141: Velkoobjemové oxidické monokrystaly pro hi-tech optoelektronické aplikace</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Číslo patentu nebo vzoru

305151

Vydavatel

CZ001 -

Název vydavatele

Industrial Property Office

Místo vydání

Prague

Stát vydání

CZ - Česká republika

Datum přijetí

8. 4. 2015

Název vlastníka

CRYTUR, spol. s r.o.

Způsob využití

B - Výsledek je využíván orgány státní nebo veřejné správy

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence