Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Silicide-aluminide ternary protective layers on TiAl6V4 alloy prepared from Al?Si alloy as solid phase on TiAl6V4 substrate

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F25794787%3A_____%2F09%3A%230000202" target="_blank" >RIV/25794787:_____/09:#0000202 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Silicide-aluminide ternary protective layers on TiAl6V4 alloy prepared from Al?Si alloy as solid phase on TiAl6V4 substrate

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This work is dealing with silicide-aluminide ternary layers prepared by annealing of TiAl6V4 as substrate with deposited AlSi20 layers. AlSi20 alloy was deposited from melt. After solidification of AlSi20, samples were annealed at 520 °C for 100 hours. The prepared layer is uniform with thickness of 30 - 50 Ohm. By using electron microscope microanalysis, diffusion profile of silicon and aluminium was found different. Main phase found was analyzed as TiAl0,3Si 1,7, minority phase as TiSi2 by the RTG analysis. We expect that presence of high content of silicon in deposited layers can have positive effect at high temperature oxidation. Further work is in progress.

  • Název v anglickém jazyce

    Silicide-aluminide ternary protective layers on TiAl6V4 alloy prepared from Al?Si alloy as solid phase on TiAl6V4 substrate

  • Popis výsledku anglicky

    This work is dealing with silicide-aluminide ternary layers prepared by annealing of TiAl6V4 as substrate with deposited AlSi20 layers. AlSi20 alloy was deposited from melt. After solidification of AlSi20, samples were annealed at 520 °C for 100 hours. The prepared layer is uniform with thickness of 30 - 50 Ohm. By using electron microscope microanalysis, diffusion profile of silicon and aluminium was found different. Main phase found was analyzed as TiAl0,3Si 1,7, minority phase as TiSi2 by the RTG analysis. We expect that presence of high content of silicon in deposited layers can have positive effect at high temperature oxidation. Further work is in progress.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JK - Koroze a povrchové úpravy materiálu

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2009

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Ochrona przed korozja, 12/2009

  • ISBN

  • ISSN

    0473-7733

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    Sigma

  • Místo vydání

  • Místo konání akce

    Poraj, Polsko

  • Datum konání akce

    1. 1. 2009

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku