Effect of Neutron Irradiation on Indium-Containing III-V Semiconductor Micromonocrystals
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26722445%3A_____%2F13%3A%230000770" target="_blank" >RIV/26722445:_____/13:#0000770 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.543.273" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.543.273</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.543.273" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/KEM.543.273</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Effect of Neutron Irradiation on Indium-Containing III-V Semiconductor Micromonocrystals
Popis výsledku v původním jazyce
The paper presents the results of the studies into the effect exerted by neutron irradiation on the parameters of microcrystals of III-V group semiconductor materials (InSb, InAs and their solid solutions). The values of optimum initial charge carrier concentration for each of the materials under research, which would allow them to retain maximum radiation resistance, have been determined. The obtained results can be employed in assessing the industrial semiconductor sensors operability in radiation environment.
Název v anglickém jazyce
Effect of Neutron Irradiation on Indium-Containing III-V Semiconductor Micromonocrystals
Popis výsledku anglicky
The paper presents the results of the studies into the effect exerted by neutron irradiation on the parameters of microcrystals of III-V group semiconductor materials (InSb, InAs and their solid solutions). The values of optimum initial charge carrier concentration for each of the materials under research, which would allow them to retain maximum radiation resistance, have been determined. The obtained results can be employed in assessing the industrial semiconductor sensors operability in radiation environment.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Key Engineering Materials
ISBN
—
ISSN
1662-9795
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
273-276
Název nakladatele
Trans Tech Publications Ltd.
Místo vydání
Zurich, Switzerland
Místo konání akce
Budapest, Hungary
Datum konání akce
1. 1. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000319023100067