Effect of neutron irradiation on indium-containing III-V semiconductor micromonocrystals

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389021%3A_____%2F13%3A00422912" target="_blank" >RIV/61389021:_____/13:00422912 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.543.273" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.543.273</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.543.273" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/KEM.543.273</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Effect of neutron irradiation on indium-containing III-V semiconductor micromonocrystals
Popis výsledku v původním jazyce
The paper presents the results of the studies into the effect exerted by neutron irradiation on the parameters of microcrystals of III-V group semiconductor materials (InSb, InAs and their solid solutions). The values of optimum initial charge carrier concentration for each of the materials under research, which would allow them to retain maximum radiation resistance, have been determined. The obtained results can be employed in assessing the industrial semiconductor sensors' operability in radiation environment.
Název v anglickém jazyce
Effect of neutron irradiation on indium-containing III-V semiconductor micromonocrystals
Popis výsledku anglicky
The paper presents the results of the studies into the effect exerted by neutron irradiation on the parameters of microcrystals of III-V group semiconductor materials (InSb, InAs and their solid solutions). The values of optimum initial charge carrier concentration for each of the materials under research, which would allow them to retain maximum radiation resistance, have been determined. The obtained results can be employed in assessing the industrial semiconductor sensors' operability in radiation environment.

Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
MATERIALS AND APPLICATIONS FOR SENSORS AND TRANSDUCERS II Book Series: Key Engineering Materials
ISBN
978-3-03785-616-1
ISSN
1013-9826
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
273-276
Název nakladatele
TRANS TECH PUBLICATIONS LTD
Místo vydání
STAFA-ZURICH
Místo konání akce
Budapest
Datum konání akce
24. 5. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000319023100067

Podobné výsledky(10)