Getrační schopnosti a struktura polykrystalicjých křemíkových vrstev

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F06%3A%230000007" target="_blank" >RIV/26821532:_____/06:#0000007 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Gettering capability and structure of polycrystalline silicon layers

Popis výsledku v původním jazyce

Utilization of multilayer system of polycrystalline silicon ? silicon dioxide for backside gettering as well as the idea of its function is subject of US Patent proceedings and is proprietary of ON Semiconductor Czech Republic

Název v anglickém jazyce

Gettering capability and structure of polycrystalline silicon layers

Popis výsledku anglicky

Utilization of multilayer system of polycrystalline silicon ? silicon dioxide for backside gettering as well as the idea of its function is subject of US Patent proceedings and is proprietary of ON Semiconductor Czech Republic

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/FI-IM2%2F131" target="_blank" >FI-IM2/131: *Výzkum a vývoj pokročilé křemíkové desky pro sub-mikronové technologie.</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

SILICON 2006

ISBN

80-239-7781-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

408-411

Název nakladatele

TECON Scientific, s.r.o. (ed. K. Vojtěchovský)

Místo vydání

Rožnov pod Radhoštěm (CZ)

Místo konání akce

Rožnov pod Radhoštěm (CZ)

Datum konání akce

7. 11. 2006

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—