PB3 Metodika měření rovinnosti a topografie povrchu polovodičových desek

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000009" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000009 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

PB3 Metodika měření rovinnosti a topografie povrchu polovodičových desek

Popis výsledku v původním jazyce

Dosaženým výstupem je soubor poznatků o možnostech, vlastnostech a použitelnosti optických metod měření rovinnosti a topografie povrchu polovodičových desek využívajících interference světla z koherentních zdrojů záření. Komplexní metody měření byly testovány, ověřovány a vyhodnocovány experimentálně na optických sestavách navržených a realizovaných pro měření na polovodičových strukturách. Výsledek je využitelný pro aplikace v polovodičovém průmyslu a pro účely výzkumu a vývoje.

Název v anglickém jazyce

PB3 Methodology of flatness measurement and surface topography of semiconductor wafer

Popis výsledku anglicky

The achieved output is a set of knowledge about the possibilities, properties and applicability of optical methods for measuring the flatness and topography of the surface of semiconductor wafers using light interference from coherent radiation sources. Complex measurement methods were tested, verified and evaluated experimentally on optical assemblies designed and implemented for measurement on semiconductor structures. The result can be used for applications in the semiconductor industry and for research and development purposes.

Druh

Z_tech - Ověřená technologie

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/TE01020233" target="_blank" >TE01020233: Platforma pokročilých mikroskopických a spektroskopických technik pro nano a mikrotechnologie</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2021

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu

TE01020233-V140

Číselná identifikace

—

Technické parametry

Nová technologie optických měření v ON Semiconductor zahrnovala kvalifikace: ZKZ 18/39: Kvalifikace zařízení Magic Mirror YIS-200SP; a akvizici (poloprovoz) nového zařízení: CPR 02860: Chapman MP2100 Surface Profiler System/ Extended Accuracy Non-Contact Surface Profiler / Edge Fixture for 150mm & 200mm Wafer. Technologie využití optických metod byla doplněna také dalšími kvalifikovanými postupy – měřením: fotoluminiscence (pro GaN), optickými (3D) mikroskopy, optickými profilometry a surfscany (měření kvality povrchu desek rozptylem laserového svazku pro analýzu světlorozptylujících defektů): CAB 19/126: Kvalifikace fotoluminiscenčního měřidla RPMBlue FS pro měření 150mm GaN-on-Si desek; CAB 19/75: Kvalifikace měřícího zařízení Filmetrics F60; CAB 18/94: Akceptace SP1 TBI (CDSP1T02) – 8“ golden tool; CAB 18/93: Akceptace SP1 Classic (CDSP101) – 8“ bridge tool; CAB 18/81: BCLMIL01 Laser Marker InnoLas 01 (Optický mikroskop Keyence VHX6000); ZKZ 18/33: Kvalifikace trimování 8“ desek na zaoblovačce W-GM 4200E (BCGWGM19)- Profilometr; LEP820; ZKZ 17/91: Kvalifikace stereo mikroskopu Lynx (BCLYNX02).

Ekonomické parametry

Investice do "poloprovozu" - setu měřících zařízení >350 tis. $

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

26821532

Název vlastníka

ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

V - Výsledek je využíván vlastníkem

Požadavek na licenční poplatek

—

Adresa www stránky s výsledkem

—