Leštěná deska karbidu křemíku průměru 200 mm

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F24%3AN0000001" target="_blank" >RIV/26821532:_____/24:N0000001 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.onsemi.com" target="_blank" >http://www.onsemi.com</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Leštěná deska karbidu křemíku průměru 200 mm
Popis výsledku v původním jazyce
Leštěná deska karbidu křemíku (SiC); krystalový polytyp 4H; metoda růstu krystalu PVT (Physical Vapor Transport); orientace krystalu (0001); dopant: N, měrný elektrický odpor: 18 - 25 mOhm.cm; průměr 200,00 +/- 0,25 mm; tloušťka 500 +/- 25 um; variabilita tloušťky TTV <10 um; globální rovinnost WARP <200 um, BOW<100 um lokální rovinnost < 2 um (15x15 mm SIFLD); vyloučený okraj < 3mm; žádné narušení okraje (Edge Chips, Dents. Cracks, Pin Holes), kvalita (grade) pro MOSFET aplikace.
Název v anglickém jazyce
200 mm Silicon Carbide Polished Wafer
Popis výsledku anglicky
Polished silicon carbide (SiC) wafer; crystal polytype 4H; PVT (Physical Vapor Transport) crystal growth method; crystal orientation (0001); dopant: N, electrical resistivity 18 - 25 mOhm.cm; diameter 200.00 +/- 0.25 mm; thickness 500 +/- 25 µm; TTV thickness variability <10 µm; global flatness WARP <200 um, BOW<100 um local flatness < 2 um (15x15 mm SIFLD); edge exclusion < 3mm; no edge damage (Edge Chips, Dents. Cracks, Pin Holes), quality (grade) for MOSFET applications.

Projekt
<a href="/cs/project/FW06010030" target="_blank" >FW06010030: Výzkum a vývoj polovodičových struktur karbidu křemíku</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2024
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
SIC8S0XX
Číselná identifikace
20243313034
Technické parametry
Leštěná deska karbidu křemíku (SiC); krystalový polytyp 4H; metoda růstu krystalu PVT (Physical Vapor Transport); orientace krystalu (0001); dopant: N, měrný elektrický odpor: 18 - 25 mOhm.cm; průměr 200,00 +/- 0,25 mm; tloušťka 500 +/- 25 um; variabilita tloušťky TTV <10 um; globální rovinnost WARP <200 um, BOW<100 um lokální rovinnost < 2 um (15x15 mm SIFLD); vyloučený okraj < 3mm; žádné narušení okraje (Edge Chips, Dents. Cracks, Pin Holes), kvalita (grade) pro MOSFET aplikace.
Ekonomické parametry
Výrobní náklady: <3000 USD/deska.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Požadavek na licenční poplatek
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
www.onsemi.com

Podobné výsledky(10)