Vše
Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Final Product Specification for FRTI3031 <110> 625 ?m or 525 ?m Polished Wafers

Identifikátory výsledku

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Final Product Specification for FRTI3031 <110> 625 ?m or 525 ?m Polished Wafers

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Polished Silicon wafer with crystallographic orientation <110>. Wafer diameter 150 mm, Czochralski growth method, On-orientation, <110> 0.0° ? 0.5°, slightly boron doped, flatness <1 um GTIR, total thickness variation < 1 um, bow and warp < 20 um.

  • Název v anglickém jazyce

    Final Product Specification for FRTI3031 <110> 625 ?m or 525 ?m Polished Wafers

  • Popis výsledku anglicky

    Polished Silicon wafer with crystallographic orientation <110>. Wafer diameter 150 mm, Czochralski growth method, On-orientation, <110> 0.0° ? 0.5°, slightly boron doped, flatness <1 um GTIR, total thickness variation < 1 um, bow and warp < 20 um.

Klasifikace

  • Druh

    Gfunk - Funkční vzorek

  • CEP obor

    JJ - Ostatní materiály

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Interní identifikační kód produktu

    FRTI3031 <110>

  • Číselná identifikace

  • Technické parametry

    CZ Si, 150 mm, <110> 0.0° ? 0.5°, flat 47.5 mm On <1-11> ? 0.3°, flatness <1 um GTIR, total thickness variation < 1 um, bow and warp < 20 um, Oi 26.0 ? 36.0 ppma, R 0.3 - 1.0 ohmcm.

  • Ekonomické parametry

    Cena: MAX. 30 USD/Si wafer.

  • Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

  • IČO vlastníka výsledku

    26821532

  • Název vlastníka

    ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o., právní nástupce

  • Stát vlastníka

    CZ - Česká republika

  • Druh možnosti využití

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

  • Požadavek na licenční poplatek

    A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

  • Adresa www stránky s výsledkem

Základní informace

Druh výsledku

Gfunk - Funkční vzorek

Gfunk

CEP

JJ - Ostatní materiály

Rok uplatnění

2013