Final Product Specification for FRTI3031 <110> 625 ?m or 525 ?m Polished Wafers
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F13%3A%230000056" target="_blank" >RIV/26821532:_____/13:#0000056 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Final Product Specification for FRTI3031 <110> 625 ?m or 525 ?m Polished Wafers
Popis výsledku v původním jazyce
Polished Silicon wafer with crystallographic orientation <110>. Wafer diameter 150 mm, Czochralski growth method, On-orientation, <110> 0.0° ? 0.5°, slightly boron doped, flatness <1 um GTIR, total thickness variation < 1 um, bow and warp < 20 um.
Název v anglickém jazyce
Final Product Specification for FRTI3031 <110> 625 ?m or 525 ?m Polished Wafers
Popis výsledku anglicky
Polished Silicon wafer with crystallographic orientation <110>. Wafer diameter 150 mm, Czochralski growth method, On-orientation, <110> 0.0° ? 0.5°, slightly boron doped, flatness <1 um GTIR, total thickness variation < 1 um, bow and warp < 20 um.
Klasifikace
Druh
G<sub>funk</sub> - Funkční vzorek
CEP obor
JJ - Ostatní materiály
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/FR-TI3%2F031" target="_blank" >FR-TI3/031: Výzkum a vývoj technologií výroby nových typů křemíkových desek</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Údaje specifické pro druh výsledku
Interní identifikační kód produktu
FRTI3031 <110>
Číselná identifikace
—
Technické parametry
CZ Si, 150 mm, <110> 0.0° ? 0.5°, flat 47.5 mm On <1-11> ? 0.3°, flatness <1 um GTIR, total thickness variation < 1 um, bow and warp < 20 um, Oi 26.0 ? 36.0 ppma, R 0.3 - 1.0 ohmcm.
Ekonomické parametry
Cena: MAX. 30 USD/Si wafer.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o., právní nástupce
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Požadavek na licenční poplatek
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
—