Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F11%3A%230000030" target="_blank" >RIV/26821532:_____/11:#0000030 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    I3T/SOI<110>

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Prototype (sample) of advanced Silicon-On-Insulator (SOI) structure based on <110> substrate. SOI wafer diameter 150 mm, thickness 525 or 625 um, crystallographic orientation <110>, BOX 620 nm, device layer thickness 3 um, device layer thickness variability +/- 0.5 um.

  • Název v anglickém jazyce

    I3T/SOI<110>

  • Popis výsledku anglicky

    Prototype (sample) of advanced Silicon-On-Insulator (SOI) structure based on <110> substrate. SOI wafer diameter 150 mm, thickness 525 or 625 um, crystallographic orientation <110>, BOX 620 nm, device layer thickness 3 um, device layer thickness variability +/- 0.5 um.

Klasifikace

  • Druh

    G<sub>funk</sub> - Funkční vzorek

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/TA01010078" target="_blank" >TA01010078: Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Interní identifikační kód produktu

    I3T/SOI<110>

  • Číselná identifikace

  • Technické parametry

    SOI: Substrát: průměr 150mm <110> Si:B 525 or 625 um, BOX 620 +/- 10 nm, aktivní vrstva Si:B (100) 3 um +/- 0.5um.

  • Ekonomické parametry

    Jednotková cena SOI desky pod 60 USD s potenciálem zvýšení výroby, exportu i zisku (plánované uplatnění výsledku od roku 2012-13).

  • Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

  • IČO vlastníka výsledku

    26821532

  • Název vlastníka

    ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o., právní nástupce

  • Stát vlastníka

    CZ - Česká republika

  • Druh možnosti využití

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

  • Požadavek na licenční poplatek

    A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

  • Adresa www stránky s výsledkem