Technologický postup výroby radiačně odolných SiC součástek

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F24%3AN0000004" target="_blank" >RIV/26821532:_____/24:N0000004 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.onsemi.com" target="_blank" >http://www.onsemi.com</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Technologický postup výroby radiačně odolných SiC součástek
Popis výsledku v původním jazyce
Technologický postup výroby radiačně odolných SiC součástek: Plně integrovaný proces výroby diskrétních vysoko výkonových polovodičových součástek typu dioda nebo FET (tranzistor řízený polem) na vlastním polovodičovém substrátu SiC (4H) o průměru 150 mm, tloušťky 350 um. Výrobní postup kvalifikovaný v MES PROMIS, ověřen na skupině funkčních vzorků SiC diod.
Název v anglickém jazyce
Technology for manufacturing of radiation tolerant SiC devices
Popis výsledku anglicky
Fully integrated process for manufacturing discrete high-power semiconductor components such as diodes or FETs (field-effect transistors) on our own SiC (4H) semiconductor substrate with a diameter of 150 mm and a thickness of 350 µm. Manufacturing process qualified in MES PROMIS.

Projekt
<a href="/cs/project/TK05020011" target="_blank" >TK05020011: Výzkum a vývoj radiačně odolných polovodičových řešení</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2024
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
TK05020011-V1
Číselná identifikace
2025050200111
Technické parametry
Technologický postup výroby radiačně odolných SiC součástek: plně integrovaný proces výroby diskrétních vysoko výkonových polovodičových součástek typu dioda nebo FET (tranzistor řízený polem) na vlastním polovodičovém substrátu SiC (4H) o průměru 150 mm, tloušťky 350 um. Výrobní postup kvalifikovaný v MES PROMIS, ověřen na skupině funkčních vzorků SiC diod.
Ekonomické parametry
Ekonomické parametry: cena (epitaxního) substrátu SiC průměru 150 mm - max. 1300 USD, cena finální SiC desky se součástkami: max. 1700 USD, očekávaná kapacita vlastní výrobní linky: min. 50 desek/týden.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Požadavek na licenční poplatek
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
www.onsemi.com

Podobné výsledky(10)