Procesní návodka pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek do +/- 3 Ohm/čtverec

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F27711170%3A_____%2F13%3A%230000033" target="_blank" >RIV/27711170:_____/13:#0000033 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Procesní návodka pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek do +/- 3 Ohm/čtverec
Popis výsledku v původním jazyce
Byla vyvinuta technologie pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek (až 300 ks s rozměrem 156 x 156 mm) do +/- 3 Ohm/čtverec. Procesní návodka specifikuje detaily přípravy požadovaných struktur solárních článků s mělkým emitorem.
Název v anglickém jazyce
Operating process description for forming solar cell structures with shallow phosphorus emitter with uniformity of layer resistance on all single Si wafer`s surface up to +/- 3 Ohm/square
Popis výsledku anglicky
A technology of forming solar cell structures with shallow phosphorus emitter with uniformity of layer resistance on all single Si wafer`s surface (up to 300 pcs of dimension 156 x 156 mm) up to +/- 3 Ohm/square was developed. Operating process description specifies details of forming desired structers of solar cells with shallow emitter.

Projekt
<a href="/cs/project/TA01020972" target="_blank" >TA01020972: Modifikace jednotlivých technologických zařízení dávkových procesů pro zvýšení výtěžnosti výroby vysoce účinných křemíkových solárních článků s využitím modelovacích softwarů technologických procesů CFD-ACE+ a Flow Simulation.</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
SVMP-Sol-01
Číslo předpisu
A-2013-12-9-SVMP-Sol-01
Technické parametry
Lze dosáhnout homogenity vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek (až 300 ks s rozměrem 156 x 156 mm) do +/- 3 Ohm/čtverec.
Ekonomické parametry
Zvýšení homogenity vrstvového odporu má pozitivní vliv jak na zvýšení účinnosti solárních článků, tak na zvýšení efektivity výroby článků samotných. Vyšší účinnost solárních článků přináší pozitivní ekonomický efekt (vyšší prodejní cena).
Označení certifikačního orgánu
SVCS Process Innovation, Optátova 37, Brno 637 00
Datum certifikace
—
Způsoby využití výsledku
C - Výsledek je využíván bez omezení okruhu uživatelů

Podobné výsledky(10)