Procesní návodka pro vytváření suchého termálního oxidu křemíku na fosforem difundovaných Si deskách s cílem tloušťky SiO2 vrstvy 25 až 30 nm

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F27711170%3A_____%2F12%3A%230000008" target="_blank" >RIV/27711170:_____/12:#0000008 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Procesní návodka pro vytváření suchého termálního oxidu křemíku na fosforem difundovaných Si deskách s cílem tloušťky SiO2 vrstvy 25 až 30 nm

Popis výsledku v původním jazyce

Rychlost růstu termického SiO2 je značně závislá na úrovni dotace Si substrátu a markantně se zvyšuje pro silně dopované povrchy. Křemíkové solární články s vyšší kvalitou povrchové pasivace potřebují vrstvu SiO2, ale její tloušťka musí být právě v rozmezí 25 až 30 nm (kompromis mezi vhodnými elektronickými a optickými vlastnostmi). Procesní návodka specifikuje detaily přípravy tenkých pasivačních SiO2 vrstev vysokoteplotní termickou oxidací (teplotní profil procesu, časovou závoslost průtoků jednotlivých plynů) pro struktury solárních článků s mělkým emitorem.

Název v anglickém jazyce

Operating process description for dry thermal silicon oxide formation with target thickness of 25-30 nm on highly phosphorus doped Si substrates.

Popis výsledku anglicky

Growth rate of thermal SiO2 layer depends on the doping level within Si substrate and it is strongly increased for highly doped surfaces. Silicon solar cells with enhanced surface quality need passivation SiO2 layer with the thickness between 25 and 30 nm (as a compromise of suitable electronic and optical properties). Operating description specifies details of the high quality thermal SiO2 layer preparation (temperature profile and time dependence of individual gas flow rates) for solar cell structureswith shallow emitter.

Druh

N_metC - Metodiky certifikované oprávněným orgánem

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/TA01020972" target="_blank" >TA01020972: Modifikace jednotlivých technologických zařízení dávkových procesů pro zvýšení výtěžnosti výroby vysoce účinných křemíkových solárních článků s využitím modelovacích softwarů technologických procesů CFD-ACE+ a Flow Simulation.</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu

SVPNSOP_SOL_01

Číslo předpisu

A-2012-11-21-SVPNSOP_SOL_01

Technické parametry

Struktura solárních článků s antireflexní a pasivační dvojvrstvou (SiO2+Si3N4) je výhodná pro Si články s mělkým, respektive selektivním emitorem pro snížení povrchových rekombinačních ztrát. Výsledkem jsou tedy články s vyšším generovaným napětím (oproti standardním strukturám až o 15 mV).

Ekonomické parametry

Vyšší účinnost solárních článků přináší pozitivní ekonomický efekt (vyšší prodejní cena). Znalost "know-how" v dané problematice zároveň posiluje kredit výrobce zařízení (SVCS) u svých zákazníků.Metodika může být rovněž použitelná v polovodičovém průmyslu.

Označení certifikačního orgánu

SVCS Process Innovation s.r.o., Na Potůčkách 163, Valašské Meziříčí 757 01

Datum certifikace

—

Způsoby využití výsledku

C - Výsledek je využíván bez omezení okruhu uživatelů