Metody pasivace povrchů fotovoltaických solárních článků.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU51938" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU51938 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Metody pasivace povrchů fotovoltaických solárních článků.

Popis výsledku v původním jazyce

When talking about surface passivation techniques of photovoltaic solar cells silicon nitrid (SiN) is the most widely used material. One important feature of this is the thermal stability during the deposition. Another improvement of this parameter is possible by utilization of own substrate on which the SiO2 layer is created. Two methods of surface passivation will be described in this article. The first Plasma-Enhanced Chemical-Vapour Deposition system used for SiN deposition and the second creattingthermally grown oxid on Si surface will be disscussed. There will be shown that very good thermal stability is possible by combination of both SiN and SiO2. Due to this the recombination in all the volume and on the Si surface is reduced. This leads to higher efficiency of solar cell itself.

Název v anglickém jazyce

Methods of photovoltaic solar cells surface passivation.

Popis výsledku anglicky

When talking about surface passivation techniques of photovoltaic solar cells silicon nitrid (SiN) is the most widely used material. One important feature of this is the thermal stability during the deposition. Another improvement of this parameter is possible by utilization of own substrate on which the SiO2 layer is created. Two methods of surface passivation will be described in this article. The first Plasma-Enhanced Chemical-Vapour Deposition system used for SiN deposition and the second creattingthermally grown oxid on Si surface will be disscussed. There will be shown that very good thermal stability is possible by combination of both SiN and SiO2. Due to this the recombination in all the volume and on the Si surface is reduced. This leads to higher efficiency of solar cell itself.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Elektrotechnika a informatika 2005

ISBN

80-7043-375-2

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

11-14

Název nakladatele

Fakulta elektrotechnická, Západočeská univerzita v Plzni

Místo vydání

Plzeň

Místo konání akce

Nečtiny

Datum konání akce

2. 11. 2005

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—