Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

A comparison study of boron emitter passivation by silicon oxide and a PECVD silicon nitride stack

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F17%3APU125231" target="_blank" >RIV/00216305:26220/17:PU125231 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.egypro.2017.09.301" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.egypro.2017.09.301</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.egypro.2017.09.301" target="_blank" >10.1016/j.egypro.2017.09.301</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    A comparison study of boron emitter passivation by silicon oxide and a PECVD silicon nitride stack

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this study we investigated the passivation quality of boron doped emitters by varying the composition of SiO2/SiNX stack layers. For this purpose, n-PERT (passivated emitter, rear totally-diffused) solar cells with boron doped front side emitter and phosphorous doped back-surface-field (BSF), as well as symmetrical boron doped structures, were fabricated on 6-inch n-type wafers.

  • Název v anglickém jazyce

    A comparison study of boron emitter passivation by silicon oxide and a PECVD silicon nitride stack

  • Popis výsledku anglicky

    In this study we investigated the passivation quality of boron doped emitters by varying the composition of SiO2/SiNX stack layers. For this purpose, n-PERT (passivated emitter, rear totally-diffused) solar cells with boron doped front side emitter and phosphorous doped back-surface-field (BSF), as well as symmetrical boron doped structures, were fabricated on 6-inch n-type wafers.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2017

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Energy Procedia

  • ISSN

    1876-6102

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    neuveden

  • Číslo periodika v rámci svazku

    124

  • Stát vydavatele periodika

    TH - Thajské království

  • Počet stran výsledku

    952

  • Strana od-do

    288-294

  • Kód UT WoS článku

    000426791600039

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85031920795