Impact of the SiNX Thickness on Passivation Quality and Contact Resistivity of Silicon Solar Cell
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F16%3APU118926" target="_blank" >RIV/00216305:26220/16:PU118926 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Impact of the SiNX Thickness on Passivation Quality and Contact Resistivity of Silicon Solar Cell
Popis výsledku v původním jazyce
In this work the influence of thickness of Silicon Nitride (SiNX) layer deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) on passivation quality and contact resis-tivity (ρC) of n-type Passivated Emitter Rear Totally-diffused (n-PERT) cell was investigated. The solar cell structure comprises front boron emitter and a phosphorous back surface field (BSF) with SiNX layers on both sides for surface passivation. Contacts are made by screen printed and fired through metallization using commercial silver (Ag) paste.
Název v anglickém jazyce
Impact of the SiNX Thickness on Passivation Quality and Contact Resistivity of Silicon Solar Cell
Popis výsledku anglicky
In this work the influence of thickness of Silicon Nitride (SiNX) layer deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) on passivation quality and contact resis-tivity (ρC) of n-type Passivated Emitter Rear Totally-diffused (n-PERT) cell was investigated. The solar cell structure comprises front boron emitter and a phosphorous back surface field (BSF) with SiNX layers on both sides for surface passivation. Contacts are made by screen printed and fired through metallization using commercial silver (Ag) paste.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the 22nd Conference STUDENT EEICT 2016
ISBN
978-80-214-5350-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
690-695
Název nakladatele
Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
28. 4. 2016
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
—