Pasivační vrstvy solárních článků vytvářené reaktivním magnetronovým naprašováním
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU59352" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU59352 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Pasivační vrstvy solárních článků vytvářené reaktivním magnetronovým naprašováním
Popis výsledku v původním jazyce
Depozice antireflexní a pasivační vrstvy patří k jednomu z nejdůležitějších kroků při výrobě fotovoltaických článků. Vytváří antireflexní vrstvu, která zabraňuje pronikání nežádoucích složek světelného záření do substrátu. Pasivace také redukuje poruchyna křemíkovém povrchu a tím ovlivňuje výsledné rekombinačí parametry celého článku. V současném fotovoltaickém průmyslu je pro povrchovou pasivaci nejpoužívanějším materiálem plasmaticky nanášený nitrid křemíku (SiNx). V naší práci se zabýváme depozicí různých typů pasivačních vrstev na zadní strany budoucích solárních článků (SiNx, Si3N4, SiO2, Al2O3 a AlN) pomocí reaktivního magnetronového naprašování.. Pasivační vrstvy se deponují v plazmochemickém prostředí působením procesních plynů. Systém je charakteristický nízkým tlakem reakčních směsí a poměrně nízkými depozičními teplotami (do 200°C). Cílem práce je charakterizace vyrobených
Název v anglickém jazyce
Passivation layers of solar cells by means of reactive magnetron sputtering created
Popis výsledku anglicky
Antireflection and passivation coating deposition is one of most important steps of photovoltaic cells production. The antireflection coating averting of light undesirable component penetrate in the silicon substrate. Passivation layer reduce defect on the silicon surface and the recombination parameters are improve. Present, for photovoltaic industry is silicon nitride the most of materials used. In our work we deal with deposition of variously type passivation layers (SiNx, Si3N4, SiO2, Al2O3 and AlN)on the back side of silicon solar cells by means of reactive magnetron sputtering.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
2.česká fotovoltaická konference
ISBN
80-239-7361
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
1-3
Název nakladatele
Czech RE Agency
Místo vydání
Rožnov pod Radhoštěm
Místo konání akce
hotel Myslivna
Datum konání akce
12. 6. 2006
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—