Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Prototyp solárního článku s naprašovanou dielektrickou vrstvou Si3N4 na přední straně

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F13%3A00426798" target="_blank" >RIV/68081731:_____/13:00426798 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Prototyp solárního článku s naprašovanou dielektrickou vrstvou Si3N4 na přední straně

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Prototyp solárního článku byl vytvořen s přispěním technologie PVD jako alternativní metodou pro depozici velmi tenkých antireflexních vrstev na přední straně solárních článků. Naprašovaný nitrid křemíku vykazuje obdobné optické vlastnosti jako je nitridvytvářený vysokoteplotní depozicí LPCVD nebo plazmatickou cestou PECVD. Index lomu vrstvy se pohybuje mezi hodnotami 2,1 - 2,2 v závislosti na stechiometrii vrstvy, a tedy na poměru inertního a reaktivního plynu. Technologie naprašování byla prováděna na unikátním povlakovacím zařízení, vyvinutým speciálně pro fotovoltaické aplikace a byla úspěšně implementována do celkového výrobního procesu společnosti Solartec. Zhotovený prototyp solárního článku byl měřen z hlediska celkové účinnosti s hodnotou 17,1%.

  • Název v anglickém jazyce

    The prototype of the solar cell with sputtered Si3N4 layer on the foreside

  • Popis výsledku anglicky

    The prototype of the solar cell was produced by PVD technology as an alternative method of deposition of thin antireflective films on the foreside of the solar cells. Sputtered silicon nitride shows similar optical properties as LPCVD or PECVD silicon nitride. Index of refraction fluctuates between 2,1 - 2,2 depending on coatings stoichiometry, it means depending on the ratio of inert and reactive gas. Sputtering was performed on unique coating apparatus, developed specially due to photovoltaic application and it was successfully implemented by Solartec into manufacturing process. Solar cell prototype has total efficiency 17,1%.

Klasifikace

  • Druh

    G<sub>prot</sub> - Prototyp

  • CEP obor

    JB - Senzory, čidla, měření a regulace

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/FR-TI1%2F603" target="_blank" >FR-TI1/603: Implementace efektivní technologie nanášení tenkých pasivačních a antireflexních vrstev do výroby krystalických solárních článků</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Interní identifikační kód produktu

    APL-2013-17

  • Číselná identifikace

  • Technické parametry

    P-typový krystalický solární článek s předním přechodem PN a se strukturou naprašovaného Si3N4 na přední straně. Povrch solárních článků je strukturován anizotropním leptáním v alkalickém roztoku ? pyramidy. Pasivační a antireflexní vrstva nitridu křemíku ? Si3N4 deponovaného metodou reaktivního magnetronového naprašování. Metalické kontakty na přední i zadní straně jsou vytvořeny sítotiskovou technikou.

  • Ekonomické parametry

    Prototyp realizovaný při řešení grantu s komerčním využitím firmou Solartec s.r.o. Výsledek využije příjemce projektu. Kontakt: Ing. Jaroslav Sobota,CSc., sobota@isibrno.cz

  • Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

  • IČO vlastníka výsledku

    49610040

  • Název vlastníka

    Solartec s.r.o.

  • Stát vlastníka

    CZ - Česká republika

  • Druh možnosti využití

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

  • Požadavek na licenční poplatek

    A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

  • Adresa www stránky s výsledkem