Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Screen Printed Metallization on p+ Emitters of n-Type Silicon Solar Cells

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F16%3APU121548" target="_blank" >RIV/00216305:26220/16:PU121548 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Screen Printed Metallization on p+ Emitters of n-Type Silicon Solar Cells

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this study we designed and fabricated n-PERT (Passivated Emitter, Rear Totally Diffused) solar cells and we investigated the effect of different boron emitter profiles (emitter surface concentration and emitter junction depth) on the cell performance. The emitter was varying in the depth demitter and the peak surface carrier concentration NA, and so the resulting sheet resistance RSh was changing between 60 Ω/sq and 140 Ω/sq. The value of RSh of Back Surface Field (BSF) layer was 75 Ω/sq in all cases. We metalized boron emitters by a commercial firing- through AgAl paste or a pure Ag paste and we varied the metallization fraction to extract the recombination current density J0-met under the metal contact for each emitter/paste.

  • Název v anglickém jazyce

    Screen Printed Metallization on p+ Emitters of n-Type Silicon Solar Cells

  • Popis výsledku anglicky

    In this study we designed and fabricated n-PERT (Passivated Emitter, Rear Totally Diffused) solar cells and we investigated the effect of different boron emitter profiles (emitter surface concentration and emitter junction depth) on the cell performance. The emitter was varying in the depth demitter and the peak surface carrier concentration NA, and so the resulting sheet resistance RSh was changing between 60 Ω/sq and 140 Ω/sq. The value of RSh of Back Surface Field (BSF) layer was 75 Ω/sq in all cases. We metalized boron emitters by a commercial firing- through AgAl paste or a pure Ag paste and we varied the metallization fraction to extract the recombination current density J0-met under the metal contact for each emitter/paste.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Imaps Flash Conference

  • ISBN

    9788021454163

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    1-5

  • Název nakladatele

    Neuveden

  • Místo vydání

    Neuveden

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    3. 11. 2016

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku