Současná difuze sítotiskové borové pasty

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU57478" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU57478 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Simultaneous diffusion of screen printed boron paste
Popis výsledku v původním jazyce
Boron pastes can make emitter and back surface field formation a simple screen print process. It is possible to achieve high quality p+ emitter on n-type silicon wafers. It is shown that solar cells can easily be fabricated by using n-type silicon wafersand simultaneous diffusion of Boron paste. These high quality diffusion pastes can reduce manufacturing cost.
Název v anglickém jazyce
Simultaneous diffusion of screen printed boron paste
Popis výsledku anglicky
Boron pastes can make emitter and back surface field formation a simple screen print process. It is possible to achieve high quality p+ emitter on n-type silicon wafers. It is shown that solar cells can easily be fabricated by using n-type silicon wafersand simultaneous diffusion of Boron paste. These high quality diffusion pastes can reduce manufacturing cost.

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F04%2F0590" target="_blank" >GA102/04/0590: Vývoj mikroelektronických montážních technologií pro 3D obvody a systémy</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)