Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Difúzní bórové pasty pro sítotisk

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F06%3A00051424" target="_blank" >RIV/68081731:_____/06:00051424 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Screen Printed Diffusion Boron Paste

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This paper shows that Boron pastes can make emitter and back surface field (BSF) formation a simple screen print process. It is possible to achieve high quality p+ emitter on n-type silicon wafers. It is shown that bifacial solar cells can easily be fabricated by using n-type silicon wafers and simultaneous diffusion of Boron paste. Diffusion length in excess of 300um is achievable on commercial wafers for solar cell application using screen-printed Boron pastes. These high quality diffusion pastes canreduce manufacturing cost and make it possible to use less than 150 um thick silicon wafers for bifacial solar cell application.

  • Název v anglickém jazyce

    Screen Printed Diffusion Boron Paste

  • Popis výsledku anglicky

    This paper shows that Boron pastes can make emitter and back surface field (BSF) formation a simple screen print process. It is possible to achieve high quality p+ emitter on n-type silicon wafers. It is shown that bifacial solar cells can easily be fabricated by using n-type silicon wafers and simultaneous diffusion of Boron paste. Diffusion length in excess of 300um is achievable on commercial wafers for solar cell application using screen-printed Boron pastes. These high quality diffusion pastes canreduce manufacturing cost and make it possible to use less than 150 um thick silicon wafers for bifacial solar cell application.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2006

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    EDS'06 - Electronic Devices and Systems IMAPS CS International Conference 2006 - Proceedings

  • ISBN

    80-214-3246-2

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    244-247

  • Název nakladatele

    Vysoké učení technické v Brně

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    14. 9. 2006

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku