Procesní návodky pro vytváření vlhkých křemíkových oxidů při teplotě 960°C z horké demineralizované H2O s homogenitou tloušťky SiO2 vrstev do +/-2% na Si deskách o průměru 150 mm.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F27711170%3A_____%2F13%3A%230000035" target="_blank" >RIV/27711170:_____/13:#0000035 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Procesní návodky pro vytváření vlhkých křemíkových oxidů při teplotě 960°C z horké demineralizované H2O s homogenitou tloušťky SiO2 vrstev do +/-2% na Si deskách o průměru 150 mm.
Popis výsledku v původním jazyce
Byla vyvinuta technologie pro vytváření vlhkých křemíkových oxidů při teplotě 960°C z horké demineralizované H2O s homogenitou tloušťky SiO2 vrstev do +/-2% na Si deskách o průměru 150 mm. Tato procesní návodka specifikuje detaily vytváření daných oxidůza výše uvedených podmínek.
Název v anglickém jazyce
Operating process description for wet silicon oxide formation on Si wafers of 150 mm diameter during temperature of 960°C from hot demineralized H2O with uniformity of SiO2 layer thickness up to +/-2%
Popis výsledku anglicky
A technology of wet silicon oxide formation on Si wafers of 150 mm diameter during temperature of 960°C from hot demineralized H2O with uniformity of SiO2 layer thickness up to +/-2% was developed. This operating process description specifies details ofthe oxide forming during conditions specified above.

Projekt
<a href="/cs/project/TA01020972" target="_blank" >TA01020972: Modifikace jednotlivých technologických zařízení dávkových procesů pro zvýšení výtěžnosti výroby vysoce účinných křemíkových solárních článků s využitím modelovacích softwarů technologických procesů CFD-ACE+ a Flow Simulation.</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
SVMSiO2-Sol-02
Číslo předpisu
A-2013-12-9-SVMSiO2-Sol-02
Technické parametry
Na Si deskách o průměru 150 mm lze při vytváření vlhkých křemíkových oxidů při teplotě 960°C z horké demineralizované H2O dosáhnout homogenity tloušťky SiO2 vrstev do +/-2%.
Ekonomické parametry
Zvýšení homogenity tloušťky SiO2 vrstev má pozitivní vliv jak na zvýšení účinnosti solárních článků, tak na zvýšení efektivity výroby článků samotných. Vyšší účinnost solárních článků přináší pozitivní ekonomický efekt (vyšší prodejní cena).
Označení certifikačního orgánu
SVCS Process Innovation s.r.o., Optátova 37, Brno 637 00
Datum certifikace
—
Způsoby využití výsledku
C - Výsledek je využíván bez omezení okruhu uživatelů

Podobné výsledky(10)