Přepisovatelný elektronický rezistivní paměťový element
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F28778758%3A_____%2F19%3AN0000002" target="_blank" >RIV/28778758:_____/19:N0000002 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/61389013:_____/19:00500870
Výsledek na webu
<a href="https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0032/uv032526.pdf" target="_blank" >https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0032/uv032526.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Přepisovatelný elektronický rezistivní paměťový element
Popis výsledku v původním jazyce
Přepisovatelný elektronický rezistivní paměťový element, tvořený vícevrstevnou strukturou zahrnující alespoň jednu spodní elektrodu z elektricky vodivého materiálu uspořádanou na nosném substrátu, na které je uspořádaná alespoň jedna aktivní vrstva z polymerního materiálu, na které je dále uspořádána alespoň jedna svrchní elektroda z elektricky vodivého materiálu, vyznačující se tím, že spodní elektroda je tvořena vrstvou cínem dopovaného oxidu india pro injektování kladných elektronových děr, aktivní vrstva obsahuje směs organických polovodičů na bázi derivátů diketo-pyrrolo-pyrrolu pro transport kladných elektronových děr a na bázi derivátů perylénu pro transport elektronů a svrchní elektroda je tvořena vrstvou hliníku pro injektování elektronů. Toto řešení lze využít zejména jako součást jednoduchých přepisovatelných pamětí s nízkými nároky na rychlost zápisu a změnu logického stavu.
Název v anglickém jazyce
A rewritable electronic resistitive memory element
Popis výsledku anglicky
A rewritable electronic resistive memory element formed by a multilayer structure comprising at least one lower electrode of electrically conductive material disposed on a support substrate on which at least one active layer of polymeric material is arranged, on which at least one upper electrode of electrically conductive material is disposed, characterized by in that the lower electrode is a tin-doped indium oxide layer for injecting positive electron holes, the active layer comprises a mixture of organic semiconductors based on diketo-pyrrolo-pyrrole derivatives for transporting positive electron holes and based on perylene derivatives for electron transport and the upper electrode formed by an aluminum layer for electron injection. This solution can be used especially as a part of simple rewritable memories with low write speed and logical change.
Klasifikace
Druh
F<sub>uzit</sub> - Užitný vzor
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/TH02010414" target="_blank" >TH02010414: Autonomní identifikační systémy pro detekci a zabezpečení výrobků v systému Průmysl 4.0</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Číslo patentu nebo vzoru
32526
Vydavatel
CZ001 -
Název vydavatele
Industrial Property Office
Místo vydání
Prague
Stát vydání
CZ - Česká republika
Datum přijetí
—
Název vlastníka
Ústav makromolekulární chemie AV ČR, v.v.i.,Centrum organické chemie s.r.o.
Způsob využití
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Druh možnosti využití
V - Výsledek je využíván vlastníkem