Paměťový prvek pro uložení n-bitového kódu a způsob vytvoření tohoto kódu

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F28778758%3A_____%2F20%3AN0000003" target="_blank" >RIV/28778758:_____/20:N0000003 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/67985858:_____/20:00504859 RIV/00216305:26310/20:PA21780

Výsledek na webu

<a href="https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/308/308265.pdf" target="_blank" >https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/308/308265.pdf</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Paměťový prvek pro uložení n-bitového kódu a způsob vytvoření tohoto kódu

Popis výsledku v původním jazyce

Paměťový prvek (1) pro uložení n-bitového kódu pro n ≥ 2 je tvořený fotochemickým článkem (2), kde fotochemický článek (2) zahrnuje nosný podklad (3), na kterém je uspořádána soustava elektrod (6, 7, 8) obklopená gelovým elektrolytem (4). Soustava elektrod (6, 7, 8) je tvořena tiskovou vrstvou na nosném podkladu a každá z elektrod (6, 7, 8) je opatřena výstupním kontaktem (5) vyvedeným na povrch nosného podkladu (3). Soustava elektrod (6, 7, 8) zahrnuje jednu společnou katodu (6), jednu referenční fotoanodu (7) opatřenou polovodičovou vrstvou (9) tvořenou tiskovou vrstvou uspořádanou na povrchu referenční fotoanody (7) a generující po dopadu UV záření výstupní fotoproud Ir, a alespoň jednu měřicí fotoanodu (8) opatřenou polovodičovou vrstvou (9´) tvořenou tiskovou vrstvou uspořádanou na povrchu měřicí fotoanody (8) a generující po dopadu UV záření výstupní fotoproud Im pro který platí Ir ≥ Im. Hodnoty výstupních fotoproudů Im tvoří n-bitový kód generovaný paměťovým prvkem (1).

Název v anglickém jazyce

A memory item for storing the n-bit code and a method for generating the code

Popis výsledku anglicky

The memory item (1) for storing the n-bit code for n ≥ 2 comprises a photochemical cell (2), the photochemical cell (2) includes a support substrate (3) on which an electrode array (6, 7, 8) is surrounded gel electrolyte (4). The electrodes (6, 7, 8) are formed by a printing layer on the support substrate and each of the electrodes (6, 7, 8) has an output contact (5) led to the surface of the bearing base (3). The electrodes (6, 7, 8) include one common cathode (6), one reference photoanode (7) with a semiconductor layer (9) formed by a printing layer on the surface of the reference photoanode (7) and generating an output photocurrent Ir after impact of UV radiation and at least one measurement photoanode (8) with a semiconductor layer (9 ') formed by a printing layer on the surface of the measurement photoanode (8) and generating a photocurrent Im upon which Ir ≥ Im is applied after UV radiation. The values of the output photocurrent Im form the n-bit code generated by the memory element (1).

Druh

P - Patent

CEP obor

—

OECD FORD obor

20501 - Materials engineering

Projekt

<a href="/cs/project/VI20162019037" target="_blank" >VI20162019037: Pokročilý identifikační element pro rozpoznání archiválií</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2020

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Číslo patentu nebo vzoru

308265

Vydavatel

CZ001 -

Název vydavatele

Industrial Property Office

Místo vydání

Prague

Stát vydání

CZ - Česká republika

Datum přijetí

19. 2. 2020

Název vlastníka

Ústav chemických procesů AV ČR, v. v. i., Centrum organické chemie s.r.o., Vysoké učení technické v Brně

Způsob využití

A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

Druh možnosti využití

V - Výsledek je využíván vlastníkem