Dynamika modifikací Si(001) vyvolaná iontovým bombardem v nízkotlakém kyslíkovém plazmatu: In situ spektroskopická elipsometrie a Monte Carlo simulace

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F44555601%3A13440%2F06%3A00003275" target="_blank" >RIV/44555601:13440/06:00003275 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Dynamics of ion bombardment-induced modifications of Si(001) at the radio-frequency-biased electrode in low-pressure oxygen plasmas: In situ spectroscopic ellipsometry and Monte Carlo study

Popis výsledku v původním jazyce

Low-pressure O2 plasma exposures were performed on c-Si(001) at a radio frequency (rf)-powered electrode in the presence of substrate self-biasing (VB) from VB=?60 to ?600 V, in order to evaluate ion-surface interactions at the growth surface under ion bombardment conditions suitable for the fabrication of high quality optical coatings. The plasma-surface interactions were monitored in situ using real-time spectroscopic ellipsometry (RTSE), which reveals time- and ion-fluence-resolved information aboutdepth-dependent modifications, such as damage and oxidation below the c-Si substrate surface. RTSE analysis indicates almost immediate damage formation ( 1 s) to a depth of a few nanometers below the surface after exposure to a low oxygen ion fluence (~5x1014 O cm?2). Oxide growth is detected at intermediate fluence (~1015?1016 O cm?2) and is attributed to O subplantation (shallow implantation); it forms near the surface of the target on top of an O-deficient interfacial damage layer (DL

Název v anglickém jazyce

Dynamics of ion bombardment-induced modifications of Si(001) at the radio-frequency-biased electrode in low-pressure oxygen plasmas: In situ spectroscopic ellipsometry and Monte Carlo study

Popis výsledku anglicky

Low-pressure O2 plasma exposures were performed on c-Si(001) at a radio frequency (rf)-powered electrode in the presence of substrate self-biasing (VB) from VB=?60 to ?600 V, in order to evaluate ion-surface interactions at the growth surface under ion bombardment conditions suitable for the fabrication of high quality optical coatings. The plasma-surface interactions were monitored in situ using real-time spectroscopic ellipsometry (RTSE), which reveals time- and ion-fluence-resolved information aboutdepth-dependent modifications, such as damage and oxidation below the c-Si substrate surface. RTSE analysis indicates almost immediate damage formation ( 1 s) to a depth of a few nanometers below the surface after exposure to a low oxygen ion fluence (~5x1014 O cm?2). Oxide growth is detected at intermediate fluence (~1015?1016 O cm?2) and is attributed to O subplantation (shallow implantation); it forms near the surface of the target on top of an O-deficient interfacial damage layer (DL

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/LC06041" target="_blank" >LC06041: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Applied Physics

ISSN

0021-8979

e-ISSN

—

Svazek periodika

100

Číslo periodika v rámci svazku

6

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

16

Strana od-do

"063526-1"-"063526-16"

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—