Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Tlak na nabitou doménovou stěnu a dodatečný mechanismus imprintu ve ferroelektriku

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F46747885%3A24220%2F07%3A%230000206" target="_blank" >RIV/46747885:24220/07:#0000206 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Pressure on charged domain walls and additional imprint mechanism in ferroelectrics

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The impact of free charges on the local pressure on a charged ferroelectric domain wall produced by an electric field has been analyzed. A general formula for the local pressure on a charged domain wall is derived considering full or partial compensationof bound polarization charges by free charges. It is concluded that the free charge compensation of bound polarization charges can lead to substantial reduction of the domain wall mobility even in the case when the mobility of free charge carriers is high. This mobility reduction gives rise to an additional imprint mechanism which may play essential role in switching properties of ferroelectric materials.

  • Název v anglickém jazyce

    Pressure on charged domain walls and additional imprint mechanism in ferroelectrics

  • Popis výsledku anglicky

    The impact of free charges on the local pressure on a charged ferroelectric domain wall produced by an electric field has been analyzed. A general formula for the local pressure on a charged domain wall is derived considering full or partial compensationof bound polarization charges by free charges. It is concluded that the free charge compensation of bound polarization charges can lead to substantial reduction of the domain wall mobility even in the case when the mobility of free charge carriers is high. This mobility reduction gives rise to an additional imprint mechanism which may play essential role in switching properties of ferroelectric materials.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA202%2F06%2F0411" target="_blank" >GA202/06/0411: Doménové jevy ve feroických krystalech</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2007

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics)

  • ISSN

    1098-0121

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    75

  • Číslo periodika v rámci svazku

    9

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    "094110-1"-"094110-6"

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus