Tlak na nabitou doménovou stěnu a dodatečný mechanismus imprintu ve ferroelektriku
Popis výsledku
Je analyzován vliv volných nábojů na lokální tlak na nabitou feroelektrickou doménovou stěnu vytvořený elektrickým polem. Je odvozena obecná formule pro lokální tlak na nabitou feroelektrickou doménovou stěnu za předpokladu úplné nebo částečné kompenzacevázaných nábojů volnými náboji. Je zjištěno, že kompenzace vázaných polarizačních nábojů volnými náboji může vést k podstatné redukci pohyblivosti doménové stěny i v případě, kdy je pohyblivost volných nosičů nábojů vysoká. Toto potlačení pohyblivosti doménových stěn dává za vznik dodatečného mechanismu imprintu, který může zásadním způsobem ovlivnit přepolarizační vlastnosti feroelektrických materiálů.
Klíčová slova
ferroelectric materialsferroelectric domain wallsdielectric polarisationcharge compensationcarrier mobilityferroelectric switching
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Pressure on charged domain walls and additional imprint mechanism in ferroelectrics
Popis výsledku v původním jazyce
The impact of free charges on the local pressure on a charged ferroelectric domain wall produced by an electric field has been analyzed. A general formula for the local pressure on a charged domain wall is derived considering full or partial compensationof bound polarization charges by free charges. It is concluded that the free charge compensation of bound polarization charges can lead to substantial reduction of the domain wall mobility even in the case when the mobility of free charge carriers is high. This mobility reduction gives rise to an additional imprint mechanism which may play essential role in switching properties of ferroelectric materials.
Název v anglickém jazyce
Pressure on charged domain walls and additional imprint mechanism in ferroelectrics
Popis výsledku anglicky
The impact of free charges on the local pressure on a charged ferroelectric domain wall produced by an electric field has been analyzed. A general formula for the local pressure on a charged domain wall is derived considering full or partial compensationof bound polarization charges by free charges. It is concluded that the free charge compensation of bound polarization charges can lead to substantial reduction of the domain wall mobility even in the case when the mobility of free charge carriers is high. This mobility reduction gives rise to an additional imprint mechanism which may play essential role in switching properties of ferroelectric materials.
Klasifikace
Druh
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics)
ISSN
1098-0121
e-ISSN
—
Svazek periodika
75
Číslo periodika v rámci svazku
9
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
"094110-1"-"094110-6"
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—
Základní informace
Druh výsledku
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Rok uplatnění
2007