A Reliability Lab-on-chip Using Programmable Arrays
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F46747885%3A24220%2F14%3A%230003130" target="_blank" >RIV/46747885:24220/14:#0003130 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=UA&search_mode=GeneralSearch&qid=6&SID=R2Ihc8Vb4DCzHkD6jzl&page=1&doc=2" target="_blank" >http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=UA&search_mode=GeneralSearch&qid=6&SID=R2Ihc8Vb4DCzHkD6jzl&page=1&doc=2</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/IRPS.2014.6861123" target="_blank" >10.1109/IRPS.2014.6861123</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
A Reliability Lab-on-chip Using Programmable Arrays
Popis výsledku v původním jazyce
This paper presents a new concept of a reliability labon-chip-an ultimate platform for complete in-situ measurement, processing and evaluation of a chip reliability parameters, including aging purposes. It is shown how multiple test structures, includingthe measurement blocks, can be ad-hoc created and evaluated directly on a Field-Programmable Gate Array (FPGA) chip. Results from measurements including 45 nm and 28 nm processes are presented as well.
Název v anglickém jazyce
A Reliability Lab-on-chip Using Programmable Arrays
Popis výsledku anglicky
This paper presents a new concept of a reliability labon-chip-an ultimate platform for complete in-situ measurement, processing and evaluation of a chip reliability parameters, including aging purposes. It is shown how multiple test structures, includingthe measurement blocks, can be ad-hoc created and evaluated directly on a Field-Programmable Gate Array (FPGA) chip. Results from measurements including 45 nm and 28 nm processes are presented as well.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JC - Počítačový hardware a software
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LD13019" target="_blank" >LD13019: SPONA - Zvýšení spolehlivosti nanoscale obvodů</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
52nd IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2014
ISBN
978-1-4799-3317-4
ISSN
1541-7026
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
"CA.6.1"-"CA.6.8"
Název nakladatele
IEEE, 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA
Místo vydání
—
Místo konání akce
Waikoloa, HI; United States
Datum konání akce
1. 1. 2014
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000343833200125