Approaches towards c-Si Industrial Solar Cell Production with Conversion Efficiency above 20%

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49610040%3A_____%2F10%3A%230000010" target="_blank" >RIV/49610040:_____/10:#0000010 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/49610040:_____/10:#0000011

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Approaches towards c-Si Industrial Solar Cell Production with Conversion Efficiency above 20%

Popis výsledku v původním jazyce

Increasing the solar cell conversion efficiency together with reducing their production cost are necessary for the near future grid parity of ?the energy from sun?. This paper deals mainly with the first part of trends, i.e., with enhanced cell efficiency while keeping the production cost nearly the same or even lower. To be able to recognize the influence of individual cell parameters on the final conversion efficiency, plenty of various characterization methods are supplemented by the modelling approach using the PC1D simulation program. We show how the most important parameters like minority carrier lifetime, surface recombination velocity (at the front and rear interface) and internal reflectivity of both free surfaces influence the cell performance. Parameters for the modelling were chosen in the real ranges coming from the long time experience with the c-Si technology. We will point out the main technological fundamentals to keep the ?high quality range? of all the most important

Název v anglickém jazyce

Approaches towards c-Si Industrial Solar Cell Production with Conversion Efficiency above 20%

Popis výsledku anglicky

Increasing the solar cell conversion efficiency together with reducing their production cost are necessary for the near future grid parity of ?the energy from sun?. This paper deals mainly with the first part of trends, i.e., with enhanced cell efficiency while keeping the production cost nearly the same or even lower. To be able to recognize the influence of individual cell parameters on the final conversion efficiency, plenty of various characterization methods are supplemented by the modelling approach using the PC1D simulation program. We show how the most important parameters like minority carrier lifetime, surface recombination velocity (at the front and rear interface) and internal reflectivity of both free surfaces influence the cell performance. Parameters for the modelling were chosen in the real ranges coming from the long time experience with the c-Si technology. We will point out the main technological fundamentals to keep the ?high quality range? of all the most important

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

5th INTERNATIONAL WORKSHOP ON TEACHING IN PHOTOVOLTAICS

ISBN

978-80-01-04532-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Název nakladatele

Nakladatelství ČVUT

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

25. 3. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—