Diagnostické metody v procesu výroby krystalických křemíkových solárních článků

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49610040%3A_____%2F08%3A%230000007" target="_blank" >RIV/49610040:_____/08:#0000007 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Diagnostické metody v procesu výroby krystalických křemíkových solárních článků

Popis výsledku v původním jazyce

V procesu výroby solárních článků na bázi krystalického křemíku je standartně užívána řada diagnostických metod pro udržení požadovaných optických a elektrických vlastností a určení parametrů po jednotlivých technologických operacích. Samotné použití těchto standardních charakterizačních metod (jako například měření totální optické relexe po texturizačním procesu, měření vrstvového odporu difundované n+ vrstvy či určení tloušťky a indexu lomu antireflexní Si3N4 vrstvy) negarantuje dosažitelnou účinnostvýsledného solárního článku. Pro tento účel je zapotření monitorovat i elektronickou kvalitu zpracovávané Si desky, kterou dobře charakterizuje doba života minoritních nosičů. Tento příspěvek je zaměřen na demonstraci charakterizačních metod MW PCD (Microwave Photoconductance Decay) a QSSPC (Quasi Steady State Photoconduntance) v procesu výroby solárních článků s cílem identifikovat ?roadmap? pro dosažení konverzní účinnosti solárních článků přes 18%.

Název v anglickém jazyce

Diagnostic methods in the process of crysatlline silicon solar cell production

Popis výsledku anglicky

Plenty of characterization methods are used in the crystalline silicon solar cell production to keep the required optical and electrical parameters in the required range. These standard tools such as reflection measurement after alkaline texturing, sheetresistance mapping of the n+ layer or thickness and index of refraction of the antireflective coating cannot guarantee the achieved conversion efficiency of the final solar cells. Here we have to use step by step monitoring of the wafer electronic quality by MW PCD (Microwave Photoconductance Decay) or QSSPC (Quasi Steady State Photoconduntance). Paper describes how the cell efficiency is influenced by the most important electronic wafer parameter ? minority carrier lifetime and what is the roadmap toachieve the conversion efficiency over 18% in the solar cell production.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

3. Česká fotovoltaická konference

ISBN

978-80-254-3528-1

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Název nakladatele

—

Místo vydání

—

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

3. 11. 2008

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—