Procesní návodka pro vysokoteplotní fosforovou getraci kovových nečistot z objemu křemíkových substrátů

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F27711170%3A_____%2F12%3A%230000009" target="_blank" >RIV/27711170:_____/12:#0000009 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Procesní návodka pro vysokoteplotní fosforovou getraci kovových nečistot z objemu křemíkových substrátů

Popis výsledku v původním jazyce

Doba života minoritních nosičů proudu v Si substrátech ovlivňuje dosažitelnou konverzní účinnost křemíkových solárních článků. Elektronickou kvalitu Si desek ovlivňují negativně zejména nečistoty kovového charakteru. Tyto nečistoty mohou být z objemu Sisubstrátu odstraněny tzv. externím getračním postupem. V průběhu tohoto procesu jsou nečistoty zachyceny v silně fosforem dopované povrchové vrstvě, která je následně odleptána.Metodika popisuje optimalizovaný technologický postup fosforové getrace, díkyněmuž dochází až k dvacetinásobnému zvýšení doby života minoritních nosičů proudu.

Název v anglickém jazyce

Operating process description for high temperature phosphorus gettering of metallic impurities from the bulk of silicon substrates

Popis výsledku anglicky

Minority carrier lifetime in silicon substrates influences achievable conversion efficiency of solar cells. Si wafer electronic quality is influenced (negatively) mainly by metallic impurities. These impurities spread over the whole wafer thickness can be effectively removed by external gettering technique. During such process impurities are captured in the highly phosphorus doped subsurface region which is etched away in following step. Operation recipe describes optimized technological sequence for phosphorus gettering process leading up to twenti times increase of minority carrier lifetime.

Druh

N_metC - Metodiky certifikované oprávněným orgánem

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/TA01020972" target="_blank" >TA01020972: Modifikace jednotlivých technologických zařízení dávkových procesů pro zvýšení výtěžnosti výroby vysoce účinných křemíkových solárních článků s využitím modelovacích softwarů technologických procesů CFD-ACE+ a Flow Simulation.</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu

SVPNVTFG_SOL_01

Číslo předpisu

A-2012-12-05-SVPNVTFG_SOL_01

Technické parametry

Zařazení procesu fosforové getrační difúze snižuje rozptyl dosažených technických parametrů testovaných solárních článků a celkově vede ke zvýšení konverzní účinnosti článků až o 15 rel.%.

Ekonomické parametry

Vyšší účinnost solárních článků přináší pozitivní ekonomický efekt (vyšší prodejní cena). Znalost "know-how" v dané problematice zároveň posiluje kredit výrobce zařízení (SVCS) u svých zákazníků.Metodika může být rovněž využitelná i v polovodičovém průmyslu.

Označení certifikačního orgánu

SVCS Process Innovation s.r.o., Na Potůčkách 163, Valašské Meziříčí 757 01

Datum certifikace

—

Způsoby využití výsledku

C - Výsledek je využíván bez omezení okruhu uživatelů