Gettering techniques for SOI wafers

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F15%3A%230000095" target="_blank" >RIV/26821532:_____/15:#0000095 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dms.fzu.cz/" target="_blank" >http://dms.fzu.cz/</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Gettering techniques for SOI wafers

Popis výsledku v původním jazyce

The SOI concept allows making the electronic devices and integrated circuits smaller, faster, and more powerful. On the other hand, solution of heat dissipation or impurity gettering is more complicated than for standard silicon wafers. The presence of the buried oxide layer prevents diffusion of contaminants from the device layer to the bulk of the handle wafer and to the wafer backside. The gettering sinks are therefore preferentially placed between the buried oxide and the device layer or on the topof the device layer. However, the close proximity of the gettering sinks to the devices induces some restrictions and requirements to the gettering techniques used. The solution may vary for thin and thick SOI. The overview of the gettering techniques used for SOI wafers will be presented and the need for novel solutions will be discussed.

Název v anglickém jazyce

Gettering techniques for SOI wafers

Popis výsledku anglicky

The SOI concept allows making the electronic devices and integrated circuits smaller, faster, and more powerful. On the other hand, solution of heat dissipation or impurity gettering is more complicated than for standard silicon wafers. The presence of the buried oxide layer prevents diffusion of contaminants from the device layer to the bulk of the handle wafer and to the wafer backside. The gettering sinks are therefore preferentially placed between the buried oxide and the device layer or on the topof the device layer. However, the close proximity of the gettering sinks to the devices induces some restrictions and requirements to the gettering techniques used. The solution may vary for thin and thick SOI. The overview of the gettering techniques used for SOI wafers will be presented and the need for novel solutions will be discussed.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JJ - Ostatní materiály

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/TH01010419" target="_blank" >TH01010419: Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

DEVELOPMENT OF MATERIALS SCIENCE IN RESEARCH AND EDUCATION - BOOK OF ABSTRACTS OF THE 25th JOINT SEMINAR

ISBN

978-80-89597-28-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

66

Strana od-do

30

Název nakladatele

Slovak Expert Group of Solid State Chemistry and Physics

Místo vydání

Kezmarske Zlaby (SK)

Místo konání akce

Kezmarske Zlaby (SK)

Datum konání akce

31. 8. 2015

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—