Technologie výroby SOI substrátu s getrační vrstvou a parametry požadovanými pro TIGBT proces
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F15%3A%230000090" target="_blank" >RIV/26821532:_____/15:#0000090 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Technologie výroby SOI substrátu s getrační vrstvou a parametry požadovanými pro TIGBT proces
Popis výsledku v původním jazyce
Ověřená technologie W761xxx (TH01010419-2015V005) zahrnuje výrobu desek pro bonding (device a handle wafer), včetně přípravy utopené vrstvy oxidu (BOX) a getrační vrstvy, a výrobu desek SOI. Procesní flow (ověřená technologie) bylo potvrzeno 14. 12. 2015reportem ze systému řízení výroby PROMIS (ProdCheck). Technologie bude využita pro přípravu SOI substrátů pro novou generaci TIGBT od ledna 2016 s komercionalizací v závěru projektu (2018).
Název v anglickém jazyce
Technology for manufacturing of SOI wafers with gettering layer with parameters requested by TIGBT process
Popis výsledku anglicky
Qualified technology W761xxx (TH01010419-2015V005) covers manufacturing of silicon wafers for bonding (device and handle wafers), buried oxide (BOX) and gettering layers and manufacturing of Silicon-On-Insulator (SOI) wafers. Process flow was validated 14/Dec/2015 by report from system for manufacturing control (PROMIS, ProdCheck). New technology will be used for manufacturing of SOI wafers for new generation of TIGBT since January 2016 with commercialization in the end of project (2018).
Klasifikace
Druh
Z<sub>tech</sub> - Ověřená technologie
CEP obor
JJ - Ostatní materiály
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/TH01010419" target="_blank" >TH01010419: Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Údaje specifické pro druh výsledku
Interní identifikační kód produktu
TH01010419-2015V005
Číselná identifikace
—
Technické parametry
Ověřené parametry technologie: Gettering Silicon-On-Insulator pro TIGBT, polovodičová deska: průměr 150 mm, tloušťka substrátu: 525 um (CZ Si <100>, volitelný dopant i elektrický měrný odpor, tloušťka device vrstvy volitelná v intervalu 100 - 130 um, variabilita tloušťky vrstvy max. +/- 1.5 um, tloušťka BOX 100 - 1000 nm (utopená vrstva termického SiO2), tloušťka getrační vrstvy 650 +/- 20 um (nedopovaný polykrystalický křemík). Výsledek využije ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o. (IČ 26821532) ve vlastní výrobě. Odpovědná osoba: Michal Lorenc, ON SEMICONDUCTOR, 1. máje 2230, 7561 61 Rožnov p.R., +420 571 754 507, michal.lorenc@onsemi.com.
Ekonomické parametry
výrobní náklady max. 105 USD při skutečné průměrné výtěžnosti 81%. Ověřená výrobní kapacita: 250 desek/týden.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Požadavek na licenční poplatek
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
—