Výrobní postup pro 1200V TIGBT na SOI

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F16%3AN0000006" target="_blank" >RIV/26821532:_____/16:N0000006 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.onsemi.com" target="_blank" >http://www.onsemi.com</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Výrobní postup pro 1200V TIGBT na SOI
Popis výsledku v původním jazyce
Celý výrobní postup součástek TIGBT sestává z následujících produkčních celků: Výroba SOI substrátů, Výroba MOSFET struktury na přední straně křemíkového substrátu typu SOI. Zpracování zadní strany – odstranění „Handle wafer“. Měření elektrických parametrů součástek.
Název v anglickém jazyce
Manufacturing process for 1200V TIGBT on SOI
Popis výsledku anglicky
The whole manufacturing process of the TIGBT components consists of the following production stages: Production of SOI substrates, Production of MOSFET structures on the front of silicon substrate of SOI. Backside side processing – removal of "Handle wafer". Measurement of the electrical parameters of the devices.

Projekt
<a href="/cs/project/TH01010419" target="_blank" >TH01010419: Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
CR20160300344
Číselná identifikace
CR20160300344
Technické parametry
Výroba TIGBT/SOI součástky se závěrným napětím 1200V s možným efektivním rozšířením na 600V a 1350V (např. NGTB40N120S3WG - viz. onsemi.com)
Ekonomické parametry
Vyvolaná investice do nové polovodičové technologie v ČR >100 mil. Kč, výrobní kapacita > 1000 (desek průměru 150 mm)/týden.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Požadavek na licenční poplatek
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
www.onsemi.com

Podobné výsledky(10)