Výroba struktur a senzorů v technologii Silicon-on-Insulator

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F08%3A03147704" target="_blank" >RIV/68407700:21230/08:03147704 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Fabrication od Devices and Sensors Based on Silicon-on-Insulator Technology
Popis výsledku v původním jazyce
This paper introduces the fabrication process of the sensors and other passive elements based on SOI technology. Simple passive elements (strain sensitive resistors - piezoresistors) were fabricated on SIMOX SOI substrates. Planar inductors and capacitors were fabricated on standard Si/SiO2 substrates with sputtered AlCuSi metallization. Basic parameter extraction and their temperature dependence were performed.
Název v anglickém jazyce
Fabrication od Devices and Sensors Based on Silicon-on-Insulator Technology
Popis výsledku anglicky
This paper introduces the fabrication process of the sensors and other passive elements based on SOI technology. Simple passive elements (strain sensitive resistors - piezoresistors) were fabricated on SIMOX SOI substrates. Planar inductors and capacitors were fabricated on standard Si/SiO2 substrates with sputtered AlCuSi metallization. Basic parameter extraction and their temperature dependence were performed.

Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)