Výrobní postup pro 1200V TIGBT se sníženým hradlovým nábojem (QG) na SOI substrátu

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F17%3AN0000003" target="_blank" >RIV/26821532:_____/17:N0000003 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Výrobní postup pro 1200V TIGBT se sníženým hradlovým nábojem (QG) na SOI substrátu

Popis výsledku v původním jazyce

Výrobní postup pro 1200V TIGBT se sníženým hradlovým nábojem (QG) na SOI substrátu. Způsobilost ověřené technologie je doložena funkčním vzorkem. Postup je způsobilý pro realizaci výroby pro součástky 600V TIGBT. Technologický proces kvalifikován korporátní Change Action Board (CAB) s id CR20160600079 (risk production is released for WT6SDF40N653DAN00D). K výrobě je také využit vlastní SOI substrát (další výsledek projektu).

Název v anglickém jazyce

Manufacturing process for 1200V TIGBT with reduced gate charge (QG) on SOI substrate

Popis výsledku anglicky

Manufacturing process for 1200V TIGBT with reduced gate charge (QG) on SOI substrate. Technology is proven by the functional sample. The procedure is suitable for the production of 600V TIGBT components. The process is qualified by the Corporate Change Action Board (CAB) with CR20160600079 (risk production is released for WT6SDF40N653DAN00D). The production is based on our own SOI substrate (another result of this project)

Druh

Z_tech - Ověřená technologie

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/TH01010419" target="_blank" >TH01010419: Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu

WT6SDF40N653DAN00D

Číselná identifikace

TH01010419-V12

Technické parametry

Výrobní postup pro 1200V TIGBT se sníženým hradlovým nábojem (QG) na SOI substrátu. Způsobilost ověřené technologie je doložena funkčním vzorkem. Postup je způsobilý pro realizaci výroby pro součástky 600V TIGBT. Technologický proces kvalifikován korporátní Change Action Board (CAB) s id CR20160600079 (risk production is released for WT6SDF40N653DAN00D). K výrobě je také využit vlastní SOI substrát (další výsledek projektu). S využitím 3DGBT aktivní buňky pro FSIII TIGBT lze realizovat součástku se zkratovou odolnosti, která má ve variantě L3 lepší trade off vztah mezi robustností, celkovými spínacími ztrátami a VCEon, než standardní FSIII TIGBT. Jedná se tak o součástku, která může dosáhnout lepší účinnosti, než standardní FSIII pokud bude požadována určitá míra zkratové odolnosti. Celý proces 3DGBT je jednoduše aplikovatelný do stávajícího FSIII TIGBT flow. Vlastní řešení díky použití SOI substrátu umožnilo snížit hradlový náboje (QG) o více než 30%.

Ekonomické parametry

Výrobní cena: 205 USD/deska průměru 150 mm, kapacita: 25 - 100 desek průměru 150 mm týdně. Výsledek využije řešitel ve vlastní výrobní lince.

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

26821532

Název vlastníka

ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

V - Výsledek je využíván vlastníkem

Požadavek na licenční poplatek

—

Adresa www stránky s výsledkem

—