R&D of x-ray and spectroscopic methods for characterization of TIGBT device

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F15%3A00087335" target="_blank" >RIV/00216224:14740/15:00087335 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

R&D of x-ray and spectroscopic methods for characterization of TIGBT device

Popis výsledku v původním jazyce

*Goal: Utilization of characterization methods at CEITEC MU for R&amp;D of Trench-Insulated-Gate-Bipolar-Transistor (TIGBT) Device Description: ON SEMICONDUCTOR with CEITEC MU have have started R&amp;D of TIGBT technology. ON SEMICONDUCTOR asked CEITEC MU for advanced material characterization of TIGBT wafers and devices and for feasibility of new methods for this characterization. Milestones: Perform characterization of TIGBT wafers (including SOI substrates). Evaluation of feasibility of x-ray topography and scattering for defects analysis. Evaluation of feasibility of Raman spectroscopy for analysis of defects and of internal strain. Evaluation of feasibility of other methods for TIGBT characterization. Modeling of temperature distribution in Si wafer during laser annealing. Samples of TIGBT devices and wafers (including SOI substrates) will be supplied by ON SEMICONDUCTOR.*

Název v anglickém jazyce

R&D of x-ray and spectroscopic methods for characterization of TIGBT device

Popis výsledku anglicky

*Goal: Utilization of characterization methods at CEITEC MU for R&amp;D of Trench-Insulated-Gate-Bipolar-Transistor (TIGBT) Device Description: ON SEMICONDUCTOR with CEITEC MU have have started R&amp;D of TIGBT technology. ON SEMICONDUCTOR asked CEITEC MU for advanced material characterization of TIGBT wafers and devices and for feasibility of new methods for this characterization. Milestones: Perform characterization of TIGBT wafers (including SOI substrates). Evaluation of feasibility of x-ray topography and scattering for defects analysis. Evaluation of feasibility of Raman spectroscopy for analysis of defects and of internal strain. Evaluation of feasibility of other methods for TIGBT characterization. Modeling of temperature distribution in Si wafer during laser annealing. Samples of TIGBT devices and wafers (including SOI substrates) will be supplied by ON SEMICONDUCTOR.*

Druh

V_souhrn - Souhrnná výzkumná zpráva

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

N - Vyzkumna aktivita podporovana z neverejnych zdroju

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Počet stran výsledku

40

Místo vydání

Brno

Název nakladatele resp. objednatele

ON Semiconductor CR

Verze

—