Technologický postup výroby TIGBT na SOI substrátu

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F16%3AN0000004" target="_blank" >RIV/26821532:_____/16:N0000004 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://www.onsemi.cz" target="_blank" >http://www.onsemi.cz</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Technologický postup výroby TIGBT na SOI substrátu

Popis výsledku v původním jazyce

Technologický postup výroby nové generace součástek TIGBT (FSIII) byl ve výrobní lince ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm kvalifikován interním postupem CAB (Change Approval Board) číslo změnového řízení CR20160300345 dne 29. 3. 2015. Kvalifikovaný výrobní postup je zaveden ve výrobním systému Promis pod označením WT6NDS120Axx. Ověřená technologie je obecně využitelná pro celou generaci součástek TIGBT (FSIII) s nutnou kvalifikací konkrétních výrobních postupů pro jednotlivé typy součástek.) Pro výrobu substrátů SOI pro TIGBT byly v roce 2016 schválený nové technologické postupy: ZKZ16/47: Kvalifikace nové technologie extrinsické getrace – multivrstevnaté struktury, ZKZ16/07 Kvalifikace procesu touch polishing na zařízení Strasbaugh 6DZ, ZKZ16/32 Kvalifikace procedury REWORK na operaci Bonding desek na SUSS bonder modul CL8.

Název v anglickém jazyce

Technology of manufacturing of TIGBT on SOI substrate

Popis výsledku anglicky

The process of manufacturing of the next generation of TIGBT (FSIII) devices has been qualified in the ON Semiconductor production line in Rožnov pod Radhoštěm by the CAB (Change Approval Board) change procedure number CR20160300345 on March 29, 2015. The Qualified Production Process is introduced in the Promis manufacturing system under WT6NDS120Axx. The proven technology is generally applicable to the entire generation of TIGBT (FSIII) devices with the requisite qualification of specific manufacturing processes for individual types of devices). New technology processes were approved for the production of SOI substrates for TIGBT in 2016: ZKZ16/47: Qualification of the new extrinsic gettering technology - Multilayered structures, ZKZ16/07 Qualification of touch polishing process on Strasbaugh 6DZ, ZKZ16/32 Qualification of the REWORK procedure for Bonding of the SSSS bonder module CL8.

Druh

Z_tech - Ověřená technologie

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/TH01010419" target="_blank" >TH01010419: Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu

CR20160300345

Číselná identifikace

TH01010419-2016V002

Technické parametry

CR20160300345 (9. 3. 2015): Kvalifikovaný výrobní postup WT6NDS120Axx, ZKZ16/47: Kvalifikace nové technologie extrinsické getrace – multivrstevnaté struktury, ZKZ16/07 Kvalifikace procesu touch polishing na zařízení Strasbaugh 6DZ, ZKZ16/32 Kvalifikace procedury REWORK na operaci Bonding desek na SUSS bonder modul CL8.

Ekonomické parametry

Výrobní kapacita > 1000 (desek průměru 150 mm)/týden, jednotková cena desky (průměru 150 mm) se součástkami TIGBT < 300$

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

26821532

Název vlastníka

ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Požadavek na licenční poplatek

A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

Adresa www stránky s výsledkem

www.onsemi.cz