Technologický postup výroby TIGBT se sníženým hradlovým nábojem (QG)

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F17%3AN0000002" target="_blank" >RIV/26821532:_____/17:N0000002 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Technologický postup výroby TIGBT se sníženým hradlovým nábojem (QG)

Popis výsledku v původním jazyce

Procesní front-end flow 3DGBT FSIII/SOI na úrovni jednotlivých procesních kroků a receptů. Kromě 1200 V 3DGBT FSIII/SOI bude využito také pro sériovou výrobu 600 V FSII . . Technologie byla kvalifikována ve výrobní lince CZ4 v Rožnově p. R. a stala se součástí výrobního portfolia.

Název v anglickém jazyce

Technology for manufacturing of TIGBT devices with reduced gate charge (QG)

Popis výsledku anglicky

Front-end process flow 3DGBT FSIII / SOI at the level of single process steps and recipes. In addition to 1200 V 3DGBT FSIII / SOI, the process flow will be used for serial production of 600 V FSII. The technology was qualified in the production line CZ4 in Rožnov p. R. and became a part of the production portfolio.

Druh

Z_tech - Ověřená technologie

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/TH01010419" target="_blank" >TH01010419: Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu

CR20160600079

Číselná identifikace

TH01010419-V11

Technické parametry

Procesní front-end flow 3DGBT FSIII/SOI na úrovni jednotlivých procesních kroků a receptů. Kromě 1200 V 3DGBT FSIII/SOI bude využito také pro sériovou výrobu 600 V FSII . viz protokol o zavedení změny CR20160600079. Ověřeno sadou: RJ72388. S využitím 3DGBT aktivní buňky pro FSIII TIGBT lze realizovat součástku se zkratovou odolnosti, která má ve variantě L3 lepší trade off vztah mezi robustností, celkovými spínacími ztrátami a VCEon, než standardní FSIII TIGBT. Součástka může dosáhnout lepší účinnosti, než standardní FSIII, pokud bude požadována určitá míra zkratové odolnosti. Celý proces 3DGBT je jednoduše aplikovatelný do stávajícího FSIII TIGBT flow. Vlastní řešení díky použití SOI substrátu umožnilo snížit hradlový náboj (QG) o více než 30%. Vstupem procesu je vlastní polovodičový substrát SOI a výstupem vlastního procesu je křemíková deska průměru 150 mm (6") s polovodičovými součástkami.

Ekonomické parametry

Průměr Si desky s čipy: 150 mm (6"). Substrát SOI. Výrobní cena: 205 USD/deska. Start-up kapacita ověřené technologie v Rožnově: 25 - 100 desek průměru 150 mm/týden. Výsledek využije řešitel ve vlastní výrobní lince.

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

26821532

Název vlastníka

ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

V - Výsledek je využíván vlastníkem

Požadavek na licenční poplatek

—

Adresa www stránky s výsledkem

—