Příprava heterostruktur silikonových nanotrubiček

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49705733%3A_____%2F11%3A%230000014" target="_blank" >RIV/49705733:_____/11:#0000014 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Příprava heterostruktur silikonových nanotrubiček

Popis výsledku v původním jazyce

Článek popisduje postup přípravy heterostruktur nanotrubiček určených pro realizaci fotoelektrických součástek.

Název v anglickém jazyce

Preparation of heterostructures the silicon nanotubes

Popis výsledku anglicky

The new structure of semiconductor nanoelectronics, while the size of transistors 16 nm silicon nanostructures require compatible with existing silicon technology, even though the carbon nanotubes are subsidized and functional ferroic and semiconducting.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JB - Senzory, čidla, měření a regulace

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/2A-2TP1%2F147" target="_blank" >2A-2TP1/147: Výzkum polovodivých nanotrubiček pro realizaci fotoelektrických součástek.</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Sborník NANOCON 2011

ISBN

978-80-87294-23-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

489

Strana od-do

258-265

Název nakladatele

—

Místo vydání

—

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

1. 1. 2011

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—