Použití moderních polovodičových součástek SiC

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F08%3A00500361" target="_blank" >RIV/49777513:23220/08:00500361 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Using of the modern semiconductor devices based on the SiC

Popis výsledku v původním jazyce

This paper deals with possibility of application of the semiconductor devices based on the SiC (Silicon Carbide) in the power electronics. Basic synopsis of SiC based materials problems are presented, appreciation of their properties in comparison with current using power semiconductor devices ((IGBT, MOSFET, CoolFET transistors).

Název v anglickém jazyce

Using of the modern semiconductor devices based on the SiC

Popis výsledku anglicky

This paper deals with possibility of application of the semiconductor devices based on the SiC (Silicon Carbide) in the power electronics. Basic synopsis of SiC based materials problems are presented, appreciation of their properties in comparison with current using power semiconductor devices ((IGBT, MOSFET, CoolFET transistors).

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Advances in Electrical and Electronic Engineering

ISSN

1336-1376

e-ISSN

—

Svazek periodika

7

Číslo periodika v rámci svazku

1-2

Stát vydavatele periodika

SK - Slovenská republika

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—