Embedded components in Photovia Substrates
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F12%3A43915605" target="_blank" >RIV/49777513:23220/12:43915605 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ESTC.2012.6542190" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/ESTC.2012.6542190</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ESTC.2012.6542190" target="_blank" >10.1109/ESTC.2012.6542190</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Embedded components in Photovia Substrates
Popis výsledku v původním jazyce
This paper deals with the research and development of high density interconnection (HDI) substrates and passive components embedded into HDI substrates. Both HDI substrates and passive embedded components are fully formed by the photolithography method.The manufacturing process consists of screen printing process used for individual layers deposition and photolithography process for all layers structuring. The photosensitive dielectric material, used in these HDI substrates, was specially designed forthis application and consists of photoimageable photopolymer and ceramic filler. The manufacturing process of HDI substrates with embedded components was specified and verified. Impedance to frequency characteristic, capacity to temperature and capacityto voltage characteristic of embedded capacitors were measured in detail. Impedance to frequency characteristics were also measured for embedded inductors. Electrical parameters of embedded components were calculated as well.
Název v anglickém jazyce
Embedded components in Photovia Substrates
Popis výsledku anglicky
This paper deals with the research and development of high density interconnection (HDI) substrates and passive components embedded into HDI substrates. Both HDI substrates and passive embedded components are fully formed by the photolithography method.The manufacturing process consists of screen printing process used for individual layers deposition and photolithography process for all layers structuring. The photosensitive dielectric material, used in these HDI substrates, was specially designed forthis application and consists of photoimageable photopolymer and ceramic filler. The manufacturing process of HDI substrates with embedded components was specified and verified. Impedance to frequency characteristic, capacity to temperature and capacityto voltage characteristic of embedded capacitors were measured in detail. Impedance to frequency characteristics were also measured for embedded inductors. Electrical parameters of embedded components were calculated as well.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
ESTC2012
ISBN
978-1-4673-4644-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
1-6
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA
Místo konání akce
Amstrdam
Datum konání akce
17. 9. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000324550400139