Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Víceúrovňové DC-AC invertory a jejich simulace

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F15%3A43926476" target="_blank" >RIV/49777513:23220/15:43926476 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Víceúrovňové DC-AC invertory a jejich simulace

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Tento článek je věnován způsobům ovládání víceúrovňových DC/AC invertorů. Víceúrovňové DC/AC invertory jsou široce rozšířeny v silnoproudých aplikacích. Hlavním cílem je převod stejnosměrného napětí z fotovoltaických elektráren na střídavé napětí elektrické sítě. Díky použití kaskádě H-můstků v invertoru, mohou být použity IGBT tranzistory namísto tyristorů. Mezi výhodné vlastnosti víceúrovňových invertorů patří nízké elektromagnetické rušení díky nižším napěťovým skokům, nižší blokovací napětí IGBT tranzistorů a nízké harmonické zkreslení. Poslední část práce obsahuje příklad simulace v programu Simulink.

  • Název v anglickém jazyce

    Multilevel DC-AC invertors and their simulations

  • Popis výsledku anglicky

    This paper is devoted to control methods of DC/AC Multilevel Inverter Systems. DC/AC multilevel H-bridge inverters are widely used for high power and high current applications. The main aim is conversion DC voltage from photovoltaic power plants to AC voltage of the mains. Thanks to using of the cascaded H-bridge converters, IGBT's transistor can be used besides thyristors. The advantages of the multilevel inverter systems are low EMI due to lower voltage steps, reducing blocking voltage of the IGBT's transistors, low THD and high power factor. The last part of the paper includes also a simulation example in Simulink program.

Klasifikace

  • Druh

    O - Ostatní výsledky

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů