Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Vliv obsahu B a poměru Si/C na vysokoteplotní stabilitu materiálů Si-B-C-N

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F06%3A00000230" target="_blank" >RIV/49777513:23520/06:00000230 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Effect of B and Si/C ratio on high-temperature stability of Si-B-C-N materials

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Amorphous Si-B-C-N alloys were deposited by reactive magnetron sputtering, and their high-temperature stability was investigated using a combined approach of experiment and molecular-dynamics simulations. We show that both a higher Si/C ratio and the addition of boron improve the thermal stability of the materials. We find that lifetimes of bonds of the same type are significantly longer at the higher Si/C ratio. The addition of boron results in a conversion of some of the electrons in lone pairs associated with nitrogen to bonding electrons.This increases the network's average coordination number. In both cases, the higher network coordination number and resulting lower diffusion, expressed in terms of longer bond lifetimes, shift decomposition reactions in materials to higher temperatures.

  • Název v anglickém jazyce

    Effect of B and Si/C ratio on high-temperature stability of Si-B-C-N materials

  • Popis výsledku anglicky

    Amorphous Si-B-C-N alloys were deposited by reactive magnetron sputtering, and their high-temperature stability was investigated using a combined approach of experiment and molecular-dynamics simulations. We show that both a higher Si/C ratio and the addition of boron improve the thermal stability of the materials. We find that lifetimes of bonds of the same type are significantly longer at the higher Si/C ratio. The addition of boron results in a conversion of some of the electrons in lone pairs associated with nitrogen to bonding electrons.This increases the network's average coordination number. In both cases, the higher network coordination number and resulting lower diffusion, expressed in terms of longer bond lifetimes, shift decomposition reactions in materials to higher temperatures.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2006

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Europhysics Letters

  • ISSN

    0295-5075

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

  • Číslo periodika v rámci svazku

  • Stát vydavatele periodika

    FR - Francouzská republika

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    512

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus