XRD in-situ studie krystalizace magnetronově nanášených tenkých vrstev TiO2

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F08%3A00500791" target="_blank" >RIV/49777513:23520/08:00500791 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
XRD in-situ study of crystallization of magnetron-deposited TiO2 thin films
Popis výsledku v původním jazyce
Crystallization of amorphous titanium dioxide films with different thickness (50-100 nm) deposited on silicon substrates was investigated by in-situ isochronal and isothermal annealing inhigh-temperature chamber in the X-ray diffractometer. It was foundthat the crystallization depends strongly on the film thickness, especially below about 500 nm and it is slow for very thinfilms. The process can be well described by the Avrami equation modified by the initial time of crystallization. All the parametersof the equation vary with thin thickness.
Název v anglickém jazyce
XRD in-situ study of crystallization of magnetron-deposited TiO2 thin films
Popis výsledku anglicky
Crystallization of amorphous titanium dioxide films with different thickness (50-100 nm) deposited on silicon substrates was investigated by in-situ isochronal and isothermal annealing inhigh-temperature chamber in the X-ray diffractometer. It was foundthat the crystallization depends strongly on the film thickness, especially below about 500 nm and it is slow for very thinfilms. The process can be well described by the Avrami equation modified by the initial time of crystallization. All the parametersof the equation vary with thin thickness.

Projekt
<a href="/cs/project/GA106%2F06%2F0327" target="_blank" >GA106/06/0327: Krystalizace amorfních a nanokrystalických tenkých vrstev</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)