Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Effect of positive pulse voltage in bipolar reactive HiPIMS on crystal structure, microstructure and mechanical properties of CrN films

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F20%3A43958585" target="_blank" >RIV/49777513:23520/20:43958585 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2020.125773" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2020.125773</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2020.125773" target="_blank" >10.1016/j.surfcoat.2020.125773</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Effect of positive pulse voltage in bipolar reactive HiPIMS on crystal structure, microstructure and mechanical properties of CrN films

  • Popis výsledku v původním jazyce

    CrN films were prepared using three different configurations of the HiPIMS discharge mode and the substrate holder potential. We investigate the effect of a positive pulse voltage (30–400 V) in bipolar HiPIMS on the crystal structure, microstructure and resulting mechanical properties of the films, and compare it to the effect of a standard DC bias voltage applied to the substrate holder in unipolar HiPIMS. We find that when the substrate holder is at a floating potential, its charging causes the loss of the plasma-substrate potential difference, necessary for ion acceleration, and no obvious evolution is thus observed with increasing positive pulse voltage. However, when the substrate holder is grounded, the effect of the positive pulse voltage is apparent and different from the effect of the DC bias substrate voltage. That is mainly due to differences in energies delivered into the growing film by bombarding ions. Films prepared using bipolar HiPIMS at a positive pulse voltage of 90 and 120 V exhibit the most interesting properties, namely high hardness (23.5 and 23.1 GPa, respectively) at a relatively low residual compressive stress (1.7 and 1.5 GPa, respectively). The results indicate that as long as the growing film is conductively connected with the ground, bipolar HiPIMS is a suitable method to tailor and improve the film properties.

  • Název v anglickém jazyce

    Effect of positive pulse voltage in bipolar reactive HiPIMS on crystal structure, microstructure and mechanical properties of CrN films

  • Popis výsledku anglicky

    CrN films were prepared using three different configurations of the HiPIMS discharge mode and the substrate holder potential. We investigate the effect of a positive pulse voltage (30–400 V) in bipolar HiPIMS on the crystal structure, microstructure and resulting mechanical properties of the films, and compare it to the effect of a standard DC bias voltage applied to the substrate holder in unipolar HiPIMS. We find that when the substrate holder is at a floating potential, its charging causes the loss of the plasma-substrate potential difference, necessary for ion acceleration, and no obvious evolution is thus observed with increasing positive pulse voltage. However, when the substrate holder is grounded, the effect of the positive pulse voltage is apparent and different from the effect of the DC bias substrate voltage. That is mainly due to differences in energies delivered into the growing film by bombarding ions. Films prepared using bipolar HiPIMS at a positive pulse voltage of 90 and 120 V exhibit the most interesting properties, namely high hardness (23.5 and 23.1 GPa, respectively) at a relatively low residual compressive stress (1.7 and 1.5 GPa, respectively). The results indicate that as long as the growing film is conductively connected with the ground, bipolar HiPIMS is a suitable method to tailor and improve the film properties.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20506 - Coating and films

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/FV30177" target="_blank" >FV30177: Výzkum a vývoj nových pulzních plazmových technologií pro depozici pokročilých tenkovrstvých materiálů</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2020

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Surface and Coatings Technology

  • ISSN

    0257-8972

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    393

  • Číslo periodika v rámci svazku

    15 JUL 2020

  • Stát vydavatele periodika

    CH - Švýcarská konfederace

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    „125773-1“-„125773-7“

  • Kód UT WoS článku

    000532676600014

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85083311659