Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Effect of positive pulse voltage in bipolar reactive HiPIMS on crystal structure, microstructure and mechanical properties of CrN films

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F20%3A43960222" target="_blank" >RIV/49777513:23520/20:43960222 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/49777513:23520/21:43963209

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Effect of positive pulse voltage in bipolar reactive HiPIMS on crystal structure, microstructure and mechanical properties of CrN films

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this work, we first use a substrate holder at a floating potential to demonstrate that bipolar HiPIMS cannot be used instead of a DC substrate bias voltage for deposition of non-conductive films or deposition onto non-conductive substrates, due to charging and the loss of a plasma-substrate potential difference, necessary for ion acceleration. However, when the substrate holder is grounded, there is an apparent evolution in crystal structure, microstructure and mechanical properties of the CrN films with increasing positive pulse voltage. We compare the effect of the positive pulse voltage in bipolar HiPIMS with the effect of a standard DC bias voltage applied to the substrate holder in unipolar HiPIMS. We find that the effects are different, mainly due to differences in energies delivered into the growing film by bombarding ions. The most interesting properties, namely high hardness (23.5 and 23.1 Pa) at a relatively low residual stress are achieved for films prepared using bipolar HiPIMS with a grounded substrate holder at positive pulse voltages of 90 and 120 V, respectively.

  • Název v anglickém jazyce

    Effect of positive pulse voltage in bipolar reactive HiPIMS on crystal structure, microstructure and mechanical properties of CrN films

  • Popis výsledku anglicky

    In this work, we first use a substrate holder at a floating potential to demonstrate that bipolar HiPIMS cannot be used instead of a DC substrate bias voltage for deposition of non-conductive films or deposition onto non-conductive substrates, due to charging and the loss of a plasma-substrate potential difference, necessary for ion acceleration. However, when the substrate holder is grounded, there is an apparent evolution in crystal structure, microstructure and mechanical properties of the CrN films with increasing positive pulse voltage. We compare the effect of the positive pulse voltage in bipolar HiPIMS with the effect of a standard DC bias voltage applied to the substrate holder in unipolar HiPIMS. We find that the effects are different, mainly due to differences in energies delivered into the growing film by bombarding ions. The most interesting properties, namely high hardness (23.5 and 23.1 Pa) at a relatively low residual stress are achieved for films prepared using bipolar HiPIMS with a grounded substrate holder at positive pulse voltages of 90 and 120 V, respectively.

Klasifikace

  • Druh

    O - Ostatní výsledky

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20506 - Coating and films

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2020

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů